Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



Буквенное «Значение параметроа

егечествениое

I Лпэ I

1 113 i Цб

зарубежное

Термин и определение

Агй; Art

! \

у lib yie. ib

IBei isb

У rtl УтЬ

Уilei УпЬ

Усег Уф У21Е Ql»l Qift

r bb, r b

Коэффициент передачи тока (коэффициент усиления) в режиме малого сигнала соответственно для схем с общим эмиттером и общей базой

Коэффициент обратной связи по напряжению в режиме малого сигка-ла соответственно для схем с общим эмиттером и общей базой Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала соответственно для схем с общим эмиттером и общей базой Модуль коэффициента передачи тока

На высокой частоте Входное сопротивление в режиме большого сигнала в схеме с общим эмиттером Статический коэффициент передачи тока (коэффициент усиления) в схеме с общим эмиттером Входная полная проводимость в режиме малого сигнала соответственно для схем с общим эмиттером и общей базой Полная проводимость обратной передачи в режиме малого сигнала соответственно для схем с общим эмиттером и общей базой Полная проводимость прямой передачи в режиме малого сигнала соответственно для схем с общим эмиттером и общей базой Выходная полная проводимость в режиме малого сигнала соответственно для схем с общим эмиттером и обшей базой Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Входная емкость соответственно в схемах с общим эмиттером и общей базой Выходная емкость соответственно в схемах с общим эмиттером и общей базой Емкость обратной связи в схеме с

общим эмиттером Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода Внутреннее сопротивление базы Постоянная времени цепн обратной связи коллекторной цепи



укзешюе оймваченне параметров

отечествешюе

зарубежно*

Терыан R сжредвленне

191 *11в* *tllC 1J9> U6>

ПЪ* -22б.

Ыпб hp

fmax t

tjkV. IT

КЭнае

Sue ИЛИ 5,;

Sue! nj; Sij ята S,e; S/u; S/,

Sj-*; Srh; S„

nei tibf ne

НЛН Soe, 5ф; fsei fsb, fee

fhnet fhie fhtibi fhfb

fmax P

toff cesat

astat

Gj.; Gt

Коэффициент отражеимя на входе &

Схеме с общим эмиттером, обшек-

базой и общим коллектором

Коэффициент прямой передачи в схе> ме с общим эмиттером, общей ба* ЗОЙ и общим коллектором

Коэффициент обратной передачи с схеме с общим эмиттером, общеД базой и общим коллектором

Коэффициент отражения на выходе & схеме с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором

Частота, прн которой коэффициент прямой передачи равен единице-

при s2ie! = I, IS2i6t = l И 521=1 = 1)

Предельная частота коэффициент*

передачи тока в схеме с обпшн эмиттером Предельная частота коэффициента-передачи тока в схеме с общей ба-вой

Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмят* тером

Максимальная частота генерации Коэффициент шума иа фиксированное частоте

Время задержки Время нарастания

Время иаколленш (рассасывавня)>

носителей Время спада

Время включения

Время выключения

Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер в режиме малог». сигнала

Сопротивление насыщения коллектор - эмнттер (статическая величина)

Коэффициент усшення по мощиоств Номинальный коэффициент передач»

по мощности Номинальный коэффициент усилеки» по мощности прн согласованной нагрузке

Коэффициент передачи по мошност»



- вуквеиное о&»нач*ние нараметров

Термин определение

отечественное

эар)-<5ежное

Максимальный номинальный коэффи-

ра max

циент усиления по мощности при

одновременном согласовании входа и выхода

Тс» case Be, &с

Температура корпуса

Гокр

Уд» атЬ

Температура окружающей среды

Упер

Температура перехода

Tsfg

Температура хранекня

пер-окр

Тепловое сопротнвленяе от перехода к окружающей среде

пер-15ор

Тепловое сопротивление от перехода

к корпусу

Тепловая постоянная времени пере-

ход - корпус

Тепловая постоянная времени пере-

ход - окружающая среда

4hca

Тепловая постоянная времени кор-

пус - окружающая среда

3,3. Отечественные транзисторы в их зарубежные аналоги

При подборе аналогов к отечественным транзисторам учитывались основное назначение приборов, электрические параметры и характеристики, а также их коиструктивно-тех1Юлогическне особенности.

Для отечественных транзисторов приводятся несколько приближенных зарубежных аналогов, отличающихся по электрическим параметрам не более чем в два раза. По параметрам н технологии изготовления трЭЕЕЗисторов в дальнейшем тексте и таблицах приняты следующие сокращения; С -сплавные; Д - диффузионные; МД - микросплааные диффузионные; ТД -тройной диффузии; сд - сплавно-диффузнониые; К - конверсионные; М - меза; П - плаиарные; ПЭ - планарно-эпнтакснальиые; (пк - время переключения; к, чтах - максимальная мощность рассеяния с теплоотводом. В таблицах для мощности рассеяния в скобках указана температура окружающей среды, а также мощность рассеяния с теплоотводом. Для Г/кэЛптюб скобках

указывается значение Лбэ килоомах. Значения параметров приводятся для температуры окружающей среды, равной 25 С.

Цифрами в скобках указан режим измерення параметров для 21» и

Для параметров /гр, Kg j, fhzxi. кво> Ц, 21Эк. гкэнас р»»»

»ыкл, Ти приводится знак (больше) или (меньше); если он отсутству» ет, то указывается типовое значение параметра.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 [10] 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0156