Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



транзисторы

Материал, структура, техноло! ия

«

О О

Ge, р-п-р Ge, p-n-p Ge, р-п-р, Ge, р-л-р, Ge, р-п-р Ge, р-п-р Ge, p-rt-p Ge, р-л-р

Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p. Ge. p-n-p Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge. p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p

Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p. Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p

Ge, p-n-p. Ge, p-n-p Ge, p-n-p

Ge, р-п-д Ge, p-n-p Ge, p-n-p

Ge, p-n-p Ge, p-rt-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge, p-n-p

Ge, p-n-p, Gc, p-n-p Ge, p-n-ff, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p,

30 30 30 30 30 30 30 3J

35 35 83 83 60 60 60 40 40 20 20 20 2)

55 55 35 35 50 50

30 30 30

20 23 30

50 50 50 50 5J

50 50 50

8J 75

r 1*

>J*

0,7* 0,75*

3 9* 7* 5* 1

0,01 ,01 2,2*

J2* 5*

13* 13*

>I

>!* >P ?:5

0,85* 0,85* 2*

>1*

0,85

>0,6*

10 ID

10 10 10 10 10 10

25 25 15 55 IS 18 18 18 18

!2 12 16 J6 15 15

5" (0,5k} 5*(0,5k) 5* (0,5k)

10 10 10"

20 30 20 30 20

32 10 12 IS

]2 ]2 12 12 12 2 12

0.5 0,5 0.5 0,5

10 10 10

20 20 20 20 20

5 10

20 20 20 20 20 20 20 20

15 15 5(10*) 5(10*)

5 50 50 50 50

2 I(J 10 15 J5 15 15

6 6 6

2 2 10

3 30 30 30 3J

20 2 JO 10 10

<5 (5 «i5 (5 B)

<5 (5 B) <5 (5 B) <2(1,2 B) -2 (1,2B) <I (1.5B) <5 (5 B)

10 5

<ID(I5 B) <I0(!5B) <I2/(8B) <I2(18B) 12 (18 fi) <I4(I8 B) 14

6 10 10 10 10

<I5(6 B) <15(6 B)

<3 (5 B) <3 (5 B) 3 (5 B)

12 12

0,8 (12 Bj

<40 (20;В) <40 (30 Б) <40 (20 B) <40 (30 B) <40i20B)

10 )0



малой мощности

20-51 (5 В; 1 мА) 35 80 (5 В; 1 мА) 60-130 (5 В; 1 мА) 1(0-250 (5 В; 1мА) 2,1-70 (5 В; I мА) 55100 (SB; 1 мА) 103* (1,5 В) 20-6) (5 В; 1 мА)

55 (4 В; 0,7 мА) 55 (4 В: 0,7 мА) 45-225 (6 В; I мА) 25-125 (5 В; I мА) 30-2 О (6 В; 1 мА) 25-I7U (6 В; ] мА) 2j !30 (6 В, 1 чЛ) 150 (6 В; 1 мА) 70 (6 В; 1 мА) 35 (0,5 В; 0,25 мЛ) 55 (0.5 В; 0.25 мА) SO (0.5 В; 0,25 мА) 75 (2 В; 3,8 мЛ)

80 (6 В; 50 (6 В; 80 (6 В; 48 (9 В; 48 (9 В;

мА) мА) мА)

1 мА)

1 мА)

»8 (6 В; 2 мА) >18 (6 В; 2 мА)

20-1С0(5 В;0,5мА) 20-170 (5 В; 0,5 мА) 20-20(5 6; 0,5мА)

65 (4 В; 0,5 мА)

65 (4 В; 0,5 мА) 35-250 (4 В; 0,3 мА)

2С80 (1 В; 25 мА) 20-81 (1 В; 25 мА) 6)-150(1б; 25 нА) 60-15) (1 В; 25 нА) 125-250(1 В; 25 мА)

70 (]2В; 2 мЛ) 65 (4 В; 0,5 мЛ) 19 (о В; 1 мА) 6) (5 В; 0,3 мА)

25-Sa (2 В; 3 wA)

с., с* пФ

<30 (5 В) <ЗЭ (5 В) <30 (5 В) <30 (5 В) 40(1,2 6) <41 (1,2 В)

<30 (о В)

43 17 14 14

<12,3 (6 В) <12,5 (6 В) 12.5(6 В)

12 (6 В)

10 10

36 36

40 40 14

Г\ Ом

<12(1 кГц)

<251* <200* <160*

10 (1 кГц) 7

<25 (1 кГц) <10(1 кГц)

<10(1 кГц) <5(1кГц) <5 (1кГц)

<5

<100ЭО <10 0ОО <10000 <10 00Э <1000Э <[0000 <lOOjQ <10 0G0

Корпус

ТО-2 ТО-2 ТО-1 ТО-1 ТО-1 Т0-( ТО-1 ТО-1 ТО-1 R.I9 R-19 R49 R-19

ТО-1

R-JS

R-18

ТО-40

Тб-1

2 2 2

ТО-40

ТО-1

R-60

За За

ТО-!

ТО-1

R-31

ТО-18



Тнп прибора

Материал, с трут тура, технолог]- я

иг. ft.

О о

Й =3

Т05Е

2SB303

2N506

2N535A

2N535B

2N536

АС 122

2SB261

2SB262

МГТ108А МП 108Б

AtmosB

МГТ108Г

мтозд кктп

ACI50

NKT73

2SB443A

2SB497

2SB335

2SB336

2SB4C0

2N206

2N207

2N130

2SB57

2N131

2NI31A

2N132

2NI33

2N132A

2iV265

2 N2 17 А

2N207B

2SB443B

2SB444A

SSB444B

АС 170

AC17I

GC116

GC117

GC118

та ЗА

TG3F

Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, рП-р, С Ge, р-п-р, С Ge, рП-р, С

Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, рП-р, С Ge, р-п-р, С Ge, ;j-n-p, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-я-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р. С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-я-р, С Ge, р-л-р, С Ge. р-п-р, С

50 5 5) 50 50 60 65 65

75 75 75 75 75

75 60 75 100 65 83 83 100 75 85 85 100 85 100 85 85 100 75 85 85 100 100 100 90 90 115 115 115 75 75 75 75

>0.6* I

0.6* 2-2* 2* 1.2 2.5 3

>0.5* >1*

Sl* 1* 2,5

0.78 2

0,8 1

1,5*

3,5* 2.5" 3,6* 1,2* 1.2* 0,5 1,2* >1,2* 0,6

>0,6

40 20 20 2J 30 20 20

10 10 10 10 10

10 25

12 2,5 2,5

5 5 5 5

12 2,5 10 10

12 12 12 10 12 12 12 12 12

12 12 12 12 12 10 10 10 10 10 10 10 10 10

10 50 100 20 20 30 ST 30 30

50 50 50 50 5]

100 50 10 10 30 60 60 40 50 20 10 100 50 100 100 100 100 50 20 20 10 10 10 100 100 150 150 150 10 10 10 10

14 (20 В) <125

<10(5В) <10(5 В) OOfSB) <10 (5 В) <10(5В)

5 5, 5 10 6 10 10 15 10 15 12 15 12 15 15 15 15 16 15 10 10 7 7 10 10 <18 <18 <18 <15 <15 <10 10

5 (ЗОВ)

(15В) (15 В) (15Б) (6 В)

(6 В) (6 Б)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0176