Главная Отечественные полупроводниковые аналоги транзисторы Материал, структура, техноло! ия « О О Ge, р-п-р Ge, p-n-p Ge, р-п-р, Ge, р-л-р, Ge, р-п-р Ge, р-п-р Ge, p-rt-p Ge, р-л-р Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p. Ge. p-n-p Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge. p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p. Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p. Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, р-п-д Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-rt-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p Ge, p-n-p Ge, p-n-p, Gc, p-n-p Ge, p-n-ff, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, 30 30 30 30 30 30 30 3J 35 35 83 83 60 60 60 40 40 20 20 20 2) 55 55 35 35 50 50 30 30 30 20 23 30 50 50 50 50 5J 50 50 50 8J 75 r 1* >J* 0,7* 0,75* 3 9* 7* 5* 1 0,01 ,01 2,2* J2* 5* 13* 13* >I >!* >P ?:5 0,85* 0,85* 2* >1* 0,85 >0,6* 10 ID 10 10 10 10 10 10 25 25 15 55 IS 18 18 18 18 !2 12 16 J6 15 15 5" (0,5k} 5*(0,5k) 5* (0,5k) 10 10 10" 20 30 20 30 20 32 10 12 IS ]2 ]2 12 12 12 2 12 0.5 0,5 0.5 0,5 10 10 10 20 20 20 20 20 5 10 20 20 20 20 20 20 20 20 15 15 5(10*) 5(10*) 5 50 50 50 50 2 I(J 10 15 J5 15 15 6 6 6 2 2 10 3 30 30 30 3J 20 2 JO 10 10 <5 (5 «i5 (5 B) <5 (5 B) <5 (5 B) <2(1,2 B) -2 (1,2B) <I (1.5B) <5 (5 B) 10 5 <ID(I5 B) <I0(!5B) <I2/(8B) <I2(18B) 12 (18 fi) <I4(I8 B) 14 6 10 10 10 10 <I5(6 B) <15(6 B) <3 (5 B) <3 (5 B) 3 (5 B) 12 12 0,8 (12 Bj <40 (20;В) <40 (30 Б) <40 (20 B) <40 (30 B) <40i20B) 10 )0 малой мощности 20-51 (5 В; 1 мА) 35 80 (5 В; 1 мА) 60-130 (5 В; 1 мА) 1(0-250 (5 В; 1мА) 2,1-70 (5 В; I мА) 55100 (SB; 1 мА) 103* (1,5 В) 20-6) (5 В; 1 мА) 55 (4 В; 0,7 мА) 55 (4 В: 0,7 мА) 45-225 (6 В; I мА) 25-125 (5 В; I мА) 30-2 О (6 В; 1 мА) 25-I7U (6 В; ] мА) 2j !30 (6 В, 1 чЛ) 150 (6 В; 1 мА) 70 (6 В; 1 мА) 35 (0,5 В; 0,25 мЛ) 55 (0.5 В; 0.25 мА) SO (0.5 В; 0,25 мА) 75 (2 В; 3,8 мЛ) 80 (6 В; 50 (6 В; 80 (6 В; 48 (9 В; 48 (9 В; мА) мА) мА) 1 мА) 1 мА) »8 (6 В; 2 мА) >18 (6 В; 2 мА) 20-1С0(5 В;0,5мА) 20-170 (5 В; 0,5 мА) 20-20(5 6; 0,5мА) 65 (4 В; 0,5 мА) 65 (4 В; 0,5 мА) 35-250 (4 В; 0,3 мА) 2С80 (1 В; 25 мА) 20-81 (1 В; 25 мА) 6)-150(1б; 25 нА) 60-15) (1 В; 25 нА) 125-250(1 В; 25 мА) 70 (]2В; 2 мЛ) 65 (4 В; 0,5 мЛ) 19 (о В; 1 мА) 6) (5 В; 0,3 мА) 25-Sa (2 В; 3 wA) с., с* пФ <30 (5 В) <ЗЭ (5 В) <30 (5 В) <30 (5 В) 40(1,2 6) <41 (1,2 В) <30 (о В) 43 17 14 14 <12,3 (6 В) <12,5 (6 В) 12.5(6 В) 12 (6 В) 10 10 36 36 40 40 14 Г\ Ом <12(1 кГц) <251* <200* <160* 10 (1 кГц) 7 <25 (1 кГц) <10(1 кГц) <10(1 кГц) <5(1кГц) <5 (1кГц) <5 <100ЭО <10 0ОО <10000 <10 00Э <1000Э <[0000 <lOOjQ <10 0G0 Корпус ТО-2 ТО-2 ТО-1 ТО-1 ТО-1 Т0-( ТО-1 ТО-1 ТО-1 R.I9 R-19 R49 R-19 ТО-1 R-JS R-18 ТО-40 Тб-1 2 2 2 ТО-40 ТО-1 R-60 За За ТО-! ТО-1 R-31 ТО-18 Тнп прибора Материал, с трут тура, технолог]- я иг. ft. О о Й =3 Т05Е 2SB303 2N506 2N535A 2N535B 2N536 АС 122 2SB261 2SB262 МГТ108А МП 108Б AtmosB МГТ108Г мтозд кктп ACI50 NKT73 2SB443A 2SB497 2SB335 2SB336 2SB4C0 2N206 2N207 2N130 2SB57 2N131 2NI31A 2N132 2NI33 2N132A 2iV265 2 N2 17 А 2N207B 2SB443B 2SB444A SSB444B АС 170 AC17I GC116 GC117 GC118 та ЗА TG3F Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, рП-р, С Ge, р-п-р, С Ge, рП-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, рП-р, С Ge, р-п-р, С Ge, ;j-n-p, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-я-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р. С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-я-р, С Ge, р-л-р, С Ge. р-п-р, С 50 5 5) 50 50 60 65 65 75 75 75 75 75 75 60 75 100 65 83 83 100 75 85 85 100 85 100 85 85 100 75 85 85 100 100 100 90 90 115 115 115 75 75 75 75 >0.6* I 0.6* 2-2* 2* 1.2 2.5 3 >0.5* >1* Sl* 1* 2,5 0.78 2 0,8 1 1,5* 3,5* 2.5" 3,6* 1,2* 1.2* 0,5 1,2* >1,2* 0,6 >0,6 40 20 20 2J 30 20 20 10 10 10 10 10 10 25 12 2,5 2,5 5 5 5 5 12 2,5 10 10 12 12 12 10 12 12 12 12 12 12 12 12 12 12 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 50 100 20 20 30 ST 30 30 50 50 50 50 5] 100 50 10 10 30 60 60 40 50 20 10 100 50 100 100 100 100 50 20 20 10 10 10 100 100 150 150 150 10 10 10 10 14 (20 В) <125 <10(5В) <10(5 В) OOfSB) <10 (5 В) <10(5В) 5 5, 5 10 6 10 10 15 10 15 12 15 12 15 15 15 15 16 15 10 10 7 7 10 10 <18 <18 <18 <15 <15 <10 10 5 (ЗОВ) (15В) (15 В) (15Б) (6 В) (6 В) (6 Б) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 [11] 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 0.0176 |