Главная Отечественные полупроводниковые аналоги Е « - Ge, р-п-р, С Ge. р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge. р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-Ge, р-Ge. р-Ge, р Ge, р Ge, р Ge, р Ge,p Ge.p Ge, р Ge, р Ge,p Ge, p Ge, p Ge,p n-p, С n-p, С rt-p, С n-p. С n-p, С Л-Р, С л-р, С n-p, С -л-р, С п-р, С п-р, С л-р, С л-р, С л-р, с п-р, с Ge, р-л-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С Ge. р-л-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С 150 ISO 155 165 150 200 200 150 15Э 15Э ISO ISO ISO 180 180 I8J ISO ISO ISO 180 180 180 180 180 125 155 210 (500*) 130 (45 °C) (45-С) 130 (45°C) 130 {45C) 130 (45 "C) 130 (45-Q 1,3* 1* >l.2* 2* 2" >0.8* S==l,3* >2* >1,5* >1,5* >I* >0J* 1.8* 1.8* 1.8» 1.8» 1,5* 1,5* 1,5* ;1,3 1.3 1.3 1.6 >0,3 >0,3 25** 35 35 35 30 40 60 50 70 25 40 50 60 25 40 50 25 40 50 60 20 35 32 32 32 12 10 10 12 10 10 10 30 30 40 40 40 40 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 16 12 10 10 10 50 50 50 30 150 200 200 300* 300* 300* 300* 300* 300» 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 100 150 100 125(250*) 125(250*) <14(12 B) <]4(i2 B) 12 (30 B) <I2(30 B) <I2(30 B) <50 (30 B) <S0 (30 B) <53 (40 B) <50 (60 B) <S0 (SO B) <S0 (70 B) 1520 B) 15 {20 B) J5 (20 Б) 15(20 B) IS (20 B) IS(20 B) IS (20 Б) 15(20 Б) IS (20 B) IS (20 Б) 15 (20 B) IS (20 B) JO 14 (25 B) <10(10 B) <IS (32 Б) <IS (32 Б) <IS (32 Б) <15 (48 B) <15,(48 B) <15(48B) <10f6B) <10(6 Б) **21Э 85(6 В; 1 мА) 95(5 В; I мА) 31(5 3; / мА) 120(5 В; 2 мА) 70-270(6 В; 1 мА) 70-270(6 В; I иА) 20~-41(5В; I мА) 30-64(5 В; 1 мА) 44-88(5 6; ( иА) 50-150(5 8; 25 мА) 80-200 (5 В; 25 мА) 20-100(5 В; 25 мА) 20-80(5 В; 25 нА) 60-200(5В; 25 мА) 30-JS0(SB; 25 мА) 90*(1ООмА) 90* (100 мА) 90*(100 мА) 90* (100 мА) 65* (100 мА) 55* (100 мА) 65* (100 мА) 65*(100 мА) 45*((00 мА) -45* (100 мА) 45* (100 мА) 45* (100 мА) 755 В; 1 мА» 65(1 В: 50 кА) 80-170(5 6; 2 мА) 17-45*(1В: 100 ыА) 35-65*(IBs 100 мА) 65-200* (I В; 200 кА) [7-45*(1Б; 100 иА) 35-65* (IB; 100 to А) 35-200*(1В; JDOmA) 45-120«(6В; 10 нА) 65-220*(бВ; 10 мА) 40 40 <40(5 В) <40(5 В) <40;5 В) 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40 35 60 <50(5В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В) <35 <37 <3,5 <3,5 <3,5 <3.5 <3.5 <3,5 <1,8 <1.8 К . дБ Он 7(1 кГц) 5(1 кГц) 6(1 кГц) 6(1 кГц) 6(1 кГц) <10 <15[1 кГц) Материал, структЦ!*, техиолория
Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р- Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р- Ge, р-Ge, р-Ge, р- п-р, С л-р, С л-р, С л-р, С п-р, с л-р, С п-р, С п-р, С л-р, С л-р, с л-р, С п-р, С п-р, С п-р, с п-р, С л-р, С л-р, с л-р, с Ge, р-п-р, С Ge, р-Ge,p-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ое, р- Сге, р Ge, р-Ge, р Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge,p Ge,p Ge,p-Ge, p-Ge, p-Ge, p- n-p, С n-p, С л-р, С n-p, С "-P, С n-p, С n-p, С л-р, С л-р, С л-р, С п-р, С п-р, С п-р. С л-р, С л-р. С л-р, С п-р. С п-р, С п-р, С л-р, С п-р. С л-р, с л-р, С Ge, р-п-р, С 125(250*) 125(250*) 125(250*) 125(250*) 125(250*) 125(250*5 125 250*) 125(250*) 500* 500* 500* 125(250*) 300(600*) 300* 100(200*) 100(200*) 250 <10(6В) <10(6 В) <10(6 В) <10(6В) <10(6 В) <10 6В) <10 6В) <10(6 В) 15(30 Б) <]8(15 В) <18(15 В) <18(15 В) <20( 12 В) <2D(12 В) <20( 12 В) <20( 12 В) <20(12 В) < 15(25 В) <15(25 В) <15(25 В) <15(25 В) <10(45 В) <10(45 Б) <10(45 Б) <25(20 Б) <20(9 В) <10П0 В) <20(12В) <15(10 В) <15(10 В) <15(10В) <15(-32 В) <15(45 В1 <15(60 В) <200(32 Б) <200(32 В) <15(18В) <15(18В) 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [13] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 0.0364 |