Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



Е « -

Ge, р-п-р, С Ge. р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge. р-п-р, С Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С Ge, р-л-р, С Ge, р-л-р, С

Ge, р-Ge, р-Ge. р-Ge, р Ge, р Ge, р Ge, р Ge,p Ge.p

Ge, р Ge, р Ge,p Ge, p Ge, p Ge,p

n-p, С n-p, С rt-p, С n-p. С n-p, С Л-Р, С л-р, С n-p, С -л-р, С п-р, С п-р, С л-р, С л-р, С л-р, с п-р, с

Ge, р-л-р, С

Ge, р-л-р, С

Ge, р-л-р, С

Ge, р-л-р, С

Ge, р-п-р, С

Ge. р-л-р, С

Ge, р-л-р, С Ge, р-п-р, С

150 ISO 155 165 150

200 200

150 15Э 15Э ISO ISO ISO

180 180 I8J ISO ISO ISO 180 180 180 180 180 125 155 210

(500*) 130

(45 °C)

(45-С)

130 (45°C)

130 {45C)

130 (45 "C)

130 (45-Q

1,3* 1* >l.2* 2*

2" >0.8*

S==l,3*

>2* >1,5* >1,5* >I*

>0J*

1.8*

1.8*

1.8»

1.8»

1,5*

1,5*

1,5*

;1,3 1.3

1.3 1.6

>0,3 >0,3

25**

35 35 35

30 40 60 50 70

25 40 50

60 25

40 50

25 40

50 60 20 35 32

32 32

12 10

10 12

10 10 10

30 30 40 40 40 40

20 20 20 20

20 20 20 20 20 20 20 20 16 12 10

10 10

50 50 50 30 150

200 200

300* 300* 300* 300* 300* 300»

200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 100 150 100

125(250*) 125(250*)

<14(12 B)

<]4(i2 B)

12 (30 B) <I2(30 B) <I2(30 B)

<50 (30 B) <S0 (30 B) <53 (40 B) <50 (60 B) <S0 (SO B) <S0 (70 B)

1520 B) 15 {20 B) J5 (20 Б) 15(20 B) IS (20 B) IS(20 B) IS (20 Б) 15(20 Б) IS (20 B) IS (20 Б) 15 (20 B) IS (20 B) JO

14 (25 B) <10(10 B)

<IS (32 Б)

<IS (32 Б)

<IS (32 Б)

<15 (48 B)

<15,(48 B)

<15(48B)

<10f6B) <10(6 Б)



**21Э

85(6 В; 1 мА) 95(5 В; I мА) 31(5 3; / мА) 120(5 В; 2 мА) 70-270(6 В; 1 мА)

70-270(6 В; I иА)

20~-41(5В; I мА) 30-64(5 В; 1 мА) 44-88(5 6; ( иА)

50-150(5 8; 25 мА) 80-200 (5 В; 25 мА) 20-100(5 В; 25 мА) 20-80(5 В; 25 нА) 60-200(5В; 25 мА) 30-JS0(SB; 25 мА)

90*(1ООмА) 90* (100 мА) 90*(100 мА) 90* (100 мА) 65* (100 мА) 55* (100 мА) 65* (100 мА) 65*(100 мА) 45*((00 мА) -45* (100 мА) 45* (100 мА) 45* (100 мА) 755 В; 1 мА» 65(1 В: 50 кА) 80-170(5 6; 2 мА)

17-45*(1В: 100 ыА)

35-65*(IBs 100 мА)

65-200* (I В; 200 кА)

[7-45*(1Б; 100 иА)

35-65* (IB; 100 to А)

35-200*(1В; JDOmA)

45-120«(6В; 10 нА) 65-220*(бВ; 10 мА)

40 40

<40(5 В) <40(5 В)

<40;5 В)

40 40 40

40 40 40 40 40 40 40 40 35 60

<50(5В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В) 32(6 В)

<35

<37

<3,5

<3,5

<3,5

<3.5

<3.5

<3,5

<1,8 <1.8

К . дБ Он

7(1 кГц)

5(1 кГц)

6(1 кГц) 6(1 кГц)

6(1 кГц)

<10

<15[1 кГц)



Материал, структЦ!*, техиолория

. DQ

1 = а. о.

а 4 S

о О

0,3*

0,3*

0,4*

0,7*

0,7*

1.3*

,012**

,012**

,012**

1,5*

2"

>J,3*

>0,35*

>0,008**

>0,6

>3

500*

>ьг

500*

(45"С)

(45=С)

Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-

Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-

Ge, р-Ge, р-Ge, р-

п-р, С л-р, С л-р, С л-р, С п-р, с л-р, С п-р, С п-р, С

л-р, С л-р, с л-р, С п-р, С п-р, С п-р, с п-р, С л-р, С л-р, с л-р, с

Ge, р-п-р, С

Ge, р-Ge,p-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ое, р-

Сге, р Ge, р-Ge, р

Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge, р-Ge,p Ge,p Ge,p-Ge, p-Ge, p-Ge, p-

n-p, С n-p, С л-р, С n-p, С "-P, С n-p, С n-p, С л-р, С л-р, С л-р, С

п-р, С п-р, С п-р. С

л-р, С л-р. С л-р, С п-р. С п-р, С п-р, С л-р, С п-р. С л-р, с л-р, С

Ge, р-п-р, С

125(250*)

125(250*)

125(250*)

125(250*)

125(250*)

125(250*5

125 250*)

125(250*)

500*

500*

500*

125(250*)

300(600*)

300*

100(200*) 100(200*) 250

<10(6В) <10(6 В) <10(6 В) <10(6В) <10(6 В) <10 6В) <10 6В) <10(6 В)

15(30 Б)

<]8(15 В) <18(15 В) <18(15 В) <20( 12 В) <2D(12 В)

<20( 12 В)

<20( 12 В) <20(12 В) < 15(25 В) <15(25 В) <15(25 В) <15(25 В) <10(45 В) <10(45 Б) <10(45 Б) <25(20 Б)

<20(9 В) <10П0 В) <20(12В) <15(10 В) <15(10 В) <15(10В) <15(-32 В) <15(45 В1 <15(60 В)

<200(32 Б) <200(32 В) <15(18В)

<15(18В)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [13] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0364