Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



Sir •*21э

r-g. Ом

Корпус

12-20(5 В; 1 мА) :э20(5 В; 1 мА) 20(5 В; 1 мА) 20-40(2 В; 0.5 мА) 30-75(2 В; 3 мА) 65-130(2 В; 3 мА) 20-100(5 В; 0,5 мА) 10-405 В; 0,5 м) 20-100(5 В,- 0.5 мЛ 25-125(6 В. 1 мА) 50" (1 Б; 2 мА J 90*( I В; 2 мА) 60(6 В; 1 мА) 60(6 В; 1 мА) 70*(1 В; 50 мА) 50*16 В; 1 мА)

20-50(0,58; 20 мА) 40-100(0,5 В; 20мА) 80-180(0.5 В; 20 мА)

35(50 мА), 70* (50 мА)Ч

30-250(6 В; 0,5мА) 25-150(6 В; 1 мА)

50-150(6 В; J мА) 30-150* (1 В; 24 мА)

20-60( 1 В; 5 мА)

20-60(1 В; 5 wA) 30-90(1 В; 5 мА) 30-90(1 В; 5 мА) 30-90(1 В; 5 м) 30-90(1 В; 5 мА) 70-210(1 В; б мА) 70-2ШГ1 В, 5 мА) 30-П0( В; 5 мА) 30-90(1 В; 5 мА)

>25(6 В; 1 мА) >60*(5 В; 1 мА) >б0(5 В; 1 мА1 >Б0(5В; ]

25(6 В) <26(6 В) <26(6 В) <14(6 В)

100 <20(6 В)

<20(6 В)

<20(6 В)

<14(( В) <J4(6 В)

<20(5 В)

<20(5 В) <20(5 В) <20(5 В) <20(5 В) <20(5 В) <20(5В) <20(5 Bj <20(5 В) <20(5 В)

<\г

<12

10 10

<8

<15 <]б <]5

<15(1кГц) <10(1 кГц) <10(1 кГц) <10(1кГц) <10ПкГц) <20(1кГц) <20(1кГц) 200*

< 15(1 кГц)

< 15(1 кГц)

<6000 <60(w

<6000

100*

ТО.]

TO-l

то-1

TO-l

TO-l

ТО-22

R-8 R-8 ТО-18 ТО-18

ТО-18 ТО-1

5 17

5 17

5 17

5 17

R-« ТО-18 ТО-18 ТО-46



Материал, структура, технологий

*: «

1 а, о.

"л • с*

ъ.: 1

О с

3

£

н а с

>5*

30**

15"*

(60°С)

(бОС)

30"

(60°С)

0,3*

0,7*

0,45*

50(100*)

>2

50(ICO*)

50(100*1

>2

5"

>5*

10(50*)

(75Х)

1C(50*)

(75С)

10(50*)

(75С)

>5*

10(50*)

(75"С)

>5*

10(50*)

(75°С)

10(50*)

(75Х)

>6

>0,8

KT104A

КТ104Б KT104B КТ1С4Г

BSZIO

BSZll

2N1643

2N1024

OC203

OC201

OC202

2N1220

2N1222

2N1223

2N1027

2N1219

2N1221

2N1028

KT203A

KT2Q3AM

КТ203Б

КТ203БМ

KT203B

KT203BM

BS212

2N943

2N944

2N2274

2N2275

2N2276

2N2277

2N923

2N924

Si, p-n-p, ПЭ Si, p-n-p, ПЭ Si. p-n-p, ПЭ Si. p-n-p. ПЭ

Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-np, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, G Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С

Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С Si. p-n-p, С Si, p-n-p, С Si, p-n-p, С

<1(30 B) <1(15 B) <1(I5B) <1(30 B)

<0,1(]0 B) <0.](10 B)

Q.QOl

0,025

0,C25

0,025

<1(60 B) <1(60 B) <1(30 B) <1 (30 B) <1(15 B) <l(15 B)

<0,1(10 B) <100(40 B) <100(40 B) 0,033(10 B) 0,003(10 B) 0,003(10 B) 0.033(10 Bj 50 50



5v\v\y\v\v\v\y

to ОЭо о о о О) О) Ol

СЛ СЛ СЛ 01Ш Ш Ш

>»>

/Л/Л/Л/Л/Л/Л/Л/Л/Л

мюсосососо - - со о о

О) 0> 01

coco Ш

W со

"oi

>

>

is >

>

>

со - CJ со со

" OlO)-V - ООО)


- СО- , . , . Юл. О) OJ О) О)

>...>*w-----

с»

-----

5 >

СЛ СГ1 -л Оо оо оо

11 I I I I I I

/л /л /л /л /л

/л/л

/л /л /л /л /л /л

со со со со со со

go о о о о

о о о о о

000990900

ОООООООООООООООООЭ

0900900,60009099

СЛ СЛ СЛ СЛ СЛ СЛ СЛ слсл --

Оооо

>

СЛ ОЭ 00

о О cj

сла>

СП ш

/Л /л /л /л

/л /л /л /л

(О м ю ю

I I I I I I I I I I I I I I I I I I I I 1 I М I ! I I I I I I I

О) Oi О) Qi

КЭ йас* °"

«Б

ПС, (* ,„. ,

(***. НС ПК



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 [16] 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0181