Материал, структура, текнологвя

Ge, р-п-р, Д Ge, р-п-р, Д Ge, р-п-р, Д

Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge. р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-ПР, Ge, р-я-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Gc, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р, Ge, р-п-р,

Ge, р-п-р, Ge, p-n-j5, Ge, р-п-р, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge. p-n-p. Ge, p-n-p, Ge, p-n-p.

Д Д Д Д Д Д Д Д

СД СД СД СД СД СД СД СД СД СД СД СД

10 10

15 1С0

<4 (25 В) <4 (25 В) <4 (25 В)

16 12 12 16 12 12 12 10 10 10 10

16 16

16 16

13 13

<10(20 В) <10 (20 В) <10(20 В) <13(6 В)

<8(6 В)

8 (6 В) <8 (6 В) <13(6 В) <16 6 В)

;12(I8 В)

/С. ДБ

Г*л. Ом

Корпус

].5 (12 В; 12 мА) 1,5 (12 В; 12 мА) 10 (6 В; 2 мА) 45 (10 Б; 2 мА)

30-1С0(5 Б; 1 мА) 50-120 (5 В; I мА) 20-120 (5 В; 1 мА)

30 (6 В 40(6 В 40 (6 В 60 (6 В 50(6 В 75(6 В 50(6 В 45(6 8 45(6 Б 45(6 В 75(6 В 30(6 В 40(6 В 50 (6 В 100 (6 В; 100(6 В; 100(6 В; 100(6 В; 40 (6 В 40(6 В 40 6 В 20(6 В 40 (6 В 20-300 (6 20-300 (6

мА) I мА) 1 мА) I мА) 1 мА)

Б; I мА) В; 1 мА)

140 (6 В; 1 мА) 140(6 Б; 1 мА) 140 (6 В; I мА) lOj (6 В; 1 мА) 2.1-420 (6 В; i мА) 100(6 В; 1 мА) 30-300(6 В; 1 мА) 30-300 (6 В; I мА) 30-ЗиО (6 R; 1 мА) 30-ЗЬО (6 В; I мА) 20-ЗО (6 В; 1 vA) S:20(6 В; 1 мА)

2,5 2,5 2,5 2,5 2,2 2,2 2,2 <3 4 4 4 4

1,5 <4 <4 <2,5 3.5 (6 В) <3,5(6 В) <3,5 (6 В)

<5 (6 В) <5 (6 В) <5(6 В) <5 (6 В) <5 (6 В) 14

4(6 В) 4,5 (6 В)

<8 (6 В) <10(6 В) <12 (6 В) 1,9(6 Б)

<4(1,6Л1Гц) <4 (1,6 МГц) <4 (1,6 МГц)

<8 (450 кГц)

8,5 (КО МГц) 2(1 МГц) 2(1 МГц)

2(1 МГц) <8(1 МГц)

3(0,5 МГц) 3(0,5 МГц) 3(0,5 МГц) 3 (0,5 МГц) 3 (0.5 МГц) 40-

CTpyKTVPJ,

технология

. 01 М 3

1. 1.

Ge, р-п-Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-rt-Ge, p-n-Ge, p-rt-Ge, p-rt-

Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-n-

Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-rt-Ge, p-n-Ge, p-n-Ge,p-rt-Ge, p-n-Ge, p-n-Ge, p-n Ge, p-n-

Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n

р.СД р,СД p, СД р-СД

p, СД p, СД р,СД р.Д р,Д р.Д

p. ДС p. ДС

аДС

р.м р.М р.м р.м р.м р.м

р,м р,м р,м

р. сд р, сд р. сд р, сд

р.СД р.СД

Ge, р-п-Ge, р-п-Ge, р-п-Ge, р-п-Ge, р-п-Ge, р-п-Ое, р-п Ое, р-л Ое, р-л Ge, р-л-Ое, р-п-Ое, р-п Ge, р-п Ое, р-л Ge, р-л

р.СД р.М р,м р.СД р,СД р.Д р,Д •р,д •р.д •р.д р.д -р,д р.Д -р.СД -р.сд

55 55 55 55 55 55 50 50 50

50 50 50

60 60 60 60 60 60 60 45 45 45 60

75 75 75 75 75 75

75 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 80 83 83

35* 50* 45* 75* 55* 35* 35*

>30* 60

200*** 00***

200***

100*** 100*** 100*** 50*** 100*** 180*** 50*** ***

,***

50*** >180***

>80

>80

120*

135*

70 140 160*

8** 8** 8**

20 20 20 20 20 20 12 ш 10 15 20

10* (Юк) 10* (Юк) Ю*(Шк) Ю* (Юк) Ю* (Юк) Ю* (Шк)

25 20 20 20 20

9 20

9 20 20

9 20 20 20 20

0.5 0,5

0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5

0,7 0,7 0,7

0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 1

0,5 0,5 0,5

1.5 1.5 1.5 1.5 1,5 1.5

0.5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0.5 0,5 0.5 0,5 0,5 0,5 0,5 0.5 0,4

5 5 5 5 5 5 5 5 5 5

10 10

50 50 50 50 50 50 50 50 50 50 50

10 10 10 10 10 10

10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

<12(18 В) <12(18 В) <12 18 В) <12(18 В) <12(18 В) <12 18 В) <!2(18 В) <15(18 В) <1Б(18 В) <]5(18 В)

<3(10 В) <3 10 В) <3(10 В)

10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

<5 (5 В) <5 (5 В) <5 Б В) <5(5 В) <5(5 В) <5(5 В)

<15(20 В) <15 (20 В)

8 10 10 10 10 10 10

10 50 12