Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



Тип врибсфа

Мате риал, стрлпстура.

ч S О. а.

«5 а

I I

Q О

SFT163 SFT358

П416

П416А

П416Б

2N6rj2

2N633

2N604

2SA279]

SFT319

SFT320

П401

П432

П403

П403А

T358H

EFT3I7

EFTS 19

EFT329

T3I6H

T354H

T3I7

T3I9

T320

T357H

2N2089

ГТ308А

ГТ308Б

П"308В

2MI854

2N794

2N795

2N796

2N13G0

2N1301

2NI683

2N2048

2N2048A

2N240P

2SA4I2

Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д

Ge. p-n-p. Д Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д

Ge, p-n-p. Д Ge. p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, СД Ge, p-n-p, СД Ge, p-n-p, СД

Ge, p-n-p. СД Ge, p-n-p, СД Ge, p-n-p. СД Ge, p-n-p, СД

Ge, p-n-p, Д Ge. p-n-p, СД Ge. p-n-p, СД Ge, p-n-p, СД

Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д Ge, p-n-p, Д Ge. p-n-p. СД Ge, p-n-p, СД

Ge, p-n-p, СД

Ge, p-n-p, СД

Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, p-n Ge, р-П Ge. р-П

Р.Д P.M Р.М Р.М Р,М р.М

Р.М

Р,СД

Р.СД

Р.СД

120 120

100 (360*)

100 (360**)

100 (360**)

100 100 100 100

120 150 150 150

120 120 150 150 150 120 100

150 (360**) 150

(за>**)

150 (360**) 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150 150

;120

110 >40

20 40 60 80 20 35

30 50 100 >80

>85 40

35 35

50 60 >25 15 20 70 44

>90

>120

40 5 >35 50 25 35 >50 150 150 150 25

12* (1к) 12* (1 к) 12*(1к)

20 30 30 30 20 20

10* (1к) 10* (Iк) 10* (1к) 10* (1 к)

32 20 20 20 32 32 20 20 20 20 20 20

18 13 13 13 13 13 13 20 30 12 13

0,5 0,5

0,5 0,5 0,5

1 I 1 I

0,5 0.5

0,5 0,5 0,5 0,5 1

3 3 3

2 1 4 4 1 4 4 2

10 10

25(120*) 25(120*) 25(120")

10 10 10

30 10 10

20 20 20

10 10 10 10 10 10 10 10 10 10

50 (120*) 50(120*) 50 (120*)

100 100 100 1Ш 100 100 100 1U0 100 100 100

15 15

<3(10 В) <3(10 В) <3(10 В)

15 15

<10(5 В) <5(5 В) <5;5 В) <5 (5 В) <15(1S В) <20(15 В) *20(15-В) <20(15 Б) <15(5 В) <15(5 В) <!5(5 В) <15{5 В) <15(5 В) sC]5(5 В) <8(15 Б)

<2 (5 В) <2 (5 В) <2 (5 В) 4.2

<3(6 В) <3 (6 В) <3(6 В) <3(б В) 3(6 В) <3(6 В) 5 3 3

3(6 В)



V- "рас.

Г* .

i , НС at.

ТО-44

Та44

<500

<1000«

<40

<5О0

<1000«

<40

<500

<1000"

ТО-5

ТО-5

ТО-б

ТО-7

ТО-1

ТО-1

<3500

<1000

<500

<500

ТО-1

ТО-1

ТО-1

ТО-1

ТО-1

ТО-1

ТО-!

ТО-1

ТО-1

ТО-1

ТО-7

<400

<1000*

<24

<400

<шоо*

<24

<8{1,6МГц1

<500

<1000*

ТО-б

140*

ТО-18

120*

io-i8

ТО-18

140*

ТО-5

120*

ТО-5

<440*

ТО-5

<4

ТО-9

<4

ТО-9

<22

ТО-18

ТО-1

70(12 В; 5 мА) 120 (6 В; I мА)

20-80 (Б В; 5 мА) 60-120 (5 В; 5мА) 90-250 (5 В: 5 мА)

20(1 В; 0,5 мА) 30(1 В; 0,5 мА) :40(1 В; 0,5 мА) 100(2 В; 10 мА) 50(9 В; I мА) 80 (9 В; 1 мА)

16-300 (б 16-250 (5 30-100 (5 16-200 (5

60-350 (б 35-220 (9 20-500 (9 35-220 (9 40-350 6 40-350(6 35-200 (6 20-350 (6 35-200 (6 60-350 (6 >40 (6 В; 20-75*(1

В; 5 мА)

В; 5 мА) мА) мА)

I мА)

мА) мА) i мА) I мА) I НА) I мА) I мА) 1 мА) мА)

I мА)

В; 10 мА)

50-120* (I В; ШмА) 80-200* (IB; ЮмА)

>40* (0,5 В; 2 мА) >30* (0,3 В; Ю мА) 30* (0,3 В; 10 мА) 50* (0,3 В; Ю НА) 30* (0,3 В; Ю мА) 30* {0,3 В; ЮмЛ) =50* (0,3 В; Ю мА) 50* (0,5 В; ШмА) 40* (0,5 В; 50 мА) >30*(о,5В; ЮмА) 30* (3 В; Ю мА)

<3 1.8

<8 (5 В) <S (5 В) <8(5 В)

4 3 3

3,5 2.5 2.5

<15 (5 В) <10(5 В) <10 (5 В) <Ю (5 В) <30 (6 BJ 2,5(9 В) 2,5(9 В) 2,5(9 В) <:5 (6 В) <5(6 В) <5 (6 В) <5 (6 В) <5 (6 В) *5 (6 В) <;4 (6 В) <8 (5 В)

<8 (5 В)

<8(5 В)

<12

<12(6 В) <12{б В) <12(6 В) <12(6 Б) <12 (6 В) <12(6 В) <3 <3 <4 <12



Тип »jpH6opa

Материал, структура, технология

ГТ321А

ГТ321Б

ГТ321В

ГТ321Г

ГТ321Д

ГТ321Е

2I4I2J4

2Nl2u4A

2N1494

2NI494A

2SA78

2N1384

ГТ323А ГТ32иБ ГТ32ЭВ

2N7II 2Ы7ИА 2К7ПВ 2N705

2N71(J

2N3883

2N2635

ГТ313А ГТ313Б ГТ313В

2N 502A

2N502B

2N1742

2N1743

AFYII

GF5j1

GF502

GF503

GF504

2N700

2 N741

Ge, p-n-p, К

Ge, p-n-p, К

Ge, p-n-p, К

Ge, p-n-p, К

Ge, p-n-p, К

Ge, p-n-p, K,

Ge, p-n-p, M Ge, p-n-p, M Ge, p-n-p, СД Ge, p-n-p, СД Ge, p-n-p, СД Ge, p-n-p, СД

Ge, p-n-p, Д Ge, p-rt-p, Д Ge, p-n-p, Д

Ge, p-n-p, M Ge, p-n-p, M Ge, p-n-p, M Ge, p-rt-p, M Ge, p-n-p, M Ge, p-n-p. Д Ge, p-n-p, M

Ge, p-n-p, Ge, p-n-p, Ge, p-n-p.

СД СД СД

Ge, p Ge, p Ge, p Ge,p Ge, p-Ge, p-Ge, p Ge, p-Ge, p Ge, p Ge, p

n-p. СД n-p, СД n-p, СД n-p, СД n-p, M n-p, M -n-p, M n-p, M -n-p, M -n-p, M -n-p,M

160 (20** Вт)

160 (20** Вт)

160 (20** Вт)

160 (20** Вт)

100 (20** Вт)

160 (20** Вт)

200 200 200

153 150 153 150 150 300 153

100 100

75 75

60 63

185(563*)

30J 3 30 300 30J 75 150

40**

200(2А*)

40**

200(2А*)

40«*

200(2А*)

30*"

200(2А*)

:5э63

i2jO(2A*)

200(2А* )

>25*

153(300*)

153(300*)

150(300*)

SllO

r=sI50

>150

::150

>300

>300

>300

Х-ЗбЭ

<500 (60 В)

<500(6Э В)

<530 (63 В)

<530 (45 В)

<500 (45 В)

<500 (45 В)

7 7 7 7

<8 (2 В) 50

<10(20В) <10(20В) <10(20 В)

<100(12В) <103(14В) <20 (15 В) <3 (5 Б) <3(5В) <100 (25 В) <5 (20 В)

<5 (12В) <5(12В) <5(12В)

<5 (10 В( <5(10Б) <10(10Б) <10(10В) <18 (18В) <18(15В) <18 (15Б) <18(15В) < 18 (15 В) <2 (6 В) 3



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 [21] 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0663