Матеркал, структура, технология

2N929

2N930

SF136D

SF136E

SFi36F

SFI37D

SFi37E

SFI37F

ВС 107A

BC107B

BC108A

BCI08B

ВСШ8С

BCiu9B

BCI09C

2N915

2N916

BCY58A

BCY58B

BCY58C

BCY58D

KC507

KC508

KC509

BFJ93

BC234

ВГ234А

BC235

BC235A

BCY69

КГ3102Л КТ3102Б KT3102B КГ3102Г КТ3102Д KT3I02E

BC182\ BCI82B BC182C ЕС183Л ВС 1838 BC183C BC237A BC237B BC238A

Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ S), n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ S, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ St, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ SI, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ SI, п-р-п,иЪ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П

Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ SI, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ

Si, n-p-n, ПЭ Si. n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ %\, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ S!, n-p-n, ПЭ SI, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ

30(60")

30(60*)

100(200*) 100(200*) 100(200*) 100(200*) 100(200*)

50 200

200 200 200 200

100(200*) 100 (200*) 103(200*) 100

103 (200*) 100 (200«) 100 (200*) 100 (200*) 100(200*) 100 (200*)

200 200 200 200 200 200

100 (200*) 100(200*) 100 200*)

<0,01(45 B) <0,01(45B) <0,1(20 B) <0.1(20 B) <0,i(20 B) <0,1(40 B) <0,1(40 B) <0,1(40 B) <0,0]5*(50B) <0,015(50B) <0,0I5(30 B) <0,015(30B) <0,0]5(30B) <O,0i5(3OB) <0,015(30 B) <0,ol(6J B) <0,01(30 B) <0,01 (32 B) <0,01 (32 B) <0.0l (32 B) <0,01 (32 B) <0.0l5(45 B) <0,015(20 B) 0,015(20 B) <0,01 (45 B) <0,1 (20 B) <0,05 (30 B) <0,1 (20 В <0,05 (30 ] <0,0l5(20B)

<0,05 (50 B) <0,05(50 B) <0,015(30B) <0,0I5(20 B) <0,015(30 B) <0.015(20 B)

<0.015(50 B) <0,0]5(50B) <0,015(50B) <0,0]5(30B) <0,015(30 B) <0,015(30 B) <0,015(50B) <0,015(50 B) <0,015(30B)

>60*(5 В; 0,5 мА1 150(5 В; 0,5 мА) U2-250*0 В; [О мА) 224-560* (1 В; Ю мА) 450-П20*(1В; JOmA) ]12-280*(1 В; 10 мА) 224-560*П В; ЮмА) 450-П20*(1 В; iOmA) 120-220*{5В; 2,кА) 180-4ба(5 В; 2иА> 120-220*(5 В-, 2 мА) 180-460*(5В;2мА) 380-800*(5 В; 2 мА) 180-460(5 В; 2 мА) 380-8О0(5 В; 2 мА) 50-2а\*(5 В; 10 кА) 50-200*(1 В; Ш мА) 125-250* (5 В; 2 мА) 175-350* (5 В; 2 нА) 250-500 (5 В; 2 мА) 35!;-7(:0 (5 В; 2 мА) 125-500 (5 В; 2 мА) 125- 500 (5 В; 2 мА) 240-&00 (5 В; 2 мА) 150-600 (5 В; 1 мА) 90-180* (5 В; Ю мА) 90-180* (5 В; Ю нА) 150-400* (5В; ЮмА) 150-400" (5 В; ЮмА) 450* (5 В; 2 мА)

100-2С0

(5 В; 200-5()0 (5 В; 20G-500 (5 В; 400-1000 (5 В: 2GO-500 (5 В; 4С0-1000 (5 В

12С-220 (5 В; 180-460 (5 В; 380-8{ О {5 В; 120-220 (5 В: 180-460 (5 В; 380-8С0 (5 В; 120-220 (5 В; ISO-460 (5 В; 120-220 (5 В;

2 мА) 2 мА) 2 мА) 2 мА) 2 ыА) 2 мА)

мА) мА) мА) мА) мА) мк) иА) мЛ)

r-g, о„

<8(5 В) <8(5 В) <5(10 В) <5(10 В) <5(10 В) <5(10 В) <5(10 В) <5(10 В) <6{]0В) <6( 10 В) <6(10 В) <6(10 В) <6(10 В) <6(ЮВ) <6{10 В) 3.5(10 В) 6(5 В) <6 (10 В) <6 (10 В) <6(Ю В) <6(Ю В) <4,5 (10 В) 4,5(10 В) <4,5(ЮВ)

6(5 В) <4 (10 В) <4(10 В) 4(10 В) 4 {10 В) <8 (5 В)

<б (5 В) <6 (5 В) 6 (5 В) <6 (5 В) <6(5 В) <6(5 В)

<5(10 В) <5(10 В) <5(]0 В) <5(Ю В) <5(10 В) <5(ЮВ) <4,5(10В1 <4,5ПОВ) <:4.5(10В)

<юо

<10и

<зо <зо <зо <зо

<3)

<зо

<20 <20 <20 <20 <20 <20 <20

<юо

<6 <б <6 <6

25 <14 <[00 <100 <100 <100 <25

<25 <25

<25

<6 <6 <6

;<4(1 лГц) <3(1 кГц) 7,8(1 кГц) 7,8П кГц) 7,8(1 кГц) 6,8(1 кГи) 6,8(1 кГи) 6,8(1 кГП) <Ю(1 кГц) <Ю(! кГц) <10(1 кГц) <10(1 кГц) <10(1 кГц) <4(1 кГц) <4(1 кГц)

<6 (1 кГц)

<Ю(1 кГц) <10 (1 кГц) <4(1 кГц) <4(1 кГц)

<Б(1 кГц)

<Ю(1 кГц) <КЧ1 кГц) <Ю (1 кГц) <[0(1 кГц) <4(1 кГц) 4 (1 кГц)

<(0(1 кГц) 10(1 кГц) <Ю(1 кГц) <Ю(1 кГц) <Ю(иГц) <Ю(1 кГц) <10 (1 кГц) <!0(1кГ4 <10(1 кГц)

Т , ПС, f

i.. .нс

Корпус

Тил прибора

Материал, стиктура> технология

-BC238B 8C238C BC239B БС239С BC107AP BC107BP ВС108ДР BC108BP BCI08CP BC109BP BC109CP BC184A BC184B БС382В BC382C БС383В BC383C BC384B BC384C 2SC1000GTM 2SC18I5 2N371I 2SCS28 2SC828A BC45i BC452 BC453 5SC538 2SC538A 2SC900 2SC923 2SC945 2N5209 2N5210 SF131E SF131F SF132E SF132F BC547A BC547B •BC547C BC548A БС548В BC548C BC549A SC549B

BC549::

Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ SI, n-p-n, иэ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ SI, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ

Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si. n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, Э Si, n-p-n, Э Si, n-p-n, П Si, n-p-n, иэ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ

Si, n-p-n, иэ Si, n-p-n, иэ Si, n-p-n, иэ

Si, n-p-n, Э Si, n-p-n, Э Si, n-p-n, Э

Si, n-p-n, иэ Si, n-p-n, иэ

Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, П Si, n-p-n, и Si, n-p-n, и Si, n-p-n, и Si, n-p-n, и

100 (200*)

103(200*)

53 200 200 20J 200 200 200 200 200 200 103 100 103 100 100 100 153 153

50 (100*)

50(100*) 100 100 100 100* 100* 100

30 100

100 (200*) 100 (200*) loo(200*) 100 (200*) 100(200*) 100(200*) 100 (200*) 100(200* 100 (200*)

<0,015(30 B) <0,0l5(30 B) <0,OI5(30B) 3,015(30 B) <0,1 (20 B) <0,i(20 B) <0,1(20 B) <0,1 (20 B) <0,1 (20 B) <0,1 (20 B) <0,1 (20 B) <0,015(30 B) <0.015(30B) <0,015(30 6) <0,015(30 B) <0,015(30B) <0,015(33 B) <0.015(30B) <0,015(30 B) <0,1 (60 B) <0,1 (63 B) 0,1 (2J B) I (10 B)

<i(io B)

<0,1 (30 B) <0,1 (33 B) <0,1 (33 Б) <0,1 (10 B) <0,1(10 B) <0,05 (40 B) <0,05 (25 B) <0,1 (40 B) <0,05 (35 B) <0,05 (35 B) 0,1 (20 Б) <0,1 (20 B) <0,1 (40 B) 0,1 (40 B) <0,015(33 B) 0,015(30 Б) <0,0i5(33 B) <0,015(33 B) <0,015(30B) <0,015(30B) <0,0I5(30 B) <0,0]5(30 B) <0,0i5(33 B)