Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



Продолжеяав

кво-

<0,01 (60 В) 0.01

0,01(60 В)

<O,0l(60Bj

:1(100В)

;l(120Bj

<0,1

<O.0J(9OBJ <0,01(90В) <3(80 В) <0,1(60В) «йО,1(60В) <0,1 =0,01

0,1 0,0!

<50*(250В) :20*(250В)

50* (250 В) :20*(250BJ

30 (10 В; 0,15 А)

>40 (6 В; 0,15 А)

45-200 (1 В; 0,15 А)

40-120 (10 В; 0,15 А)

40-120 (ЮВ; 0,15 А)

40-120 (ЮВ; 0,16 А)

100-300 (10 В; 0,15 А)

40-150 (2 В; 0,25 А) 40-150 (2 В; 0,25 А)

>20 (Ю В; 0,!5 А)

100-500 (10 В; 0,15 А)

40-120 (10 В; 0,15 А)

40-200 (5 В; 0,2 А)

80-240 (2 В; 0,05 А)

80-240 (2 В; 0,05 А)

85 (10 В; 0,15 А) 85

(10 В; 0,15 AJ

(10 В; 0,15 А) 65

(ЮВ; 0,15 А) 65

(10В; 0,15 А) 35(2В; 0.15 А)

Ю-40 (40 В; 20 мА)

10-40 (40 В; 20 мА)

30-120 (40 В; 20 мА)

30-120 (40 В; 20 мА)

С. ПФ

рас выкл

t**, НС

Корпус

<2,3

1039

<1.3

ТО-39

<25

<1,2

ТО-ЗЭ

(ЮВ)

<12

<1,3

ТО-5

<20

<1,6

ТО-39

<25

<]0

ТО-39

(ЮВ)

<25

<10

ТО-39

(10 В)

<50

<2

ТО-39

(20 В)

<50

ТО-39

(20 В)

<20

ТО-5

<12

<1,3

ТО-39

(ЮВ)

<12

<1

ТО-39

(10 В)

<4

ТО-39

17(Ю В)

<1.4

ТО-39

15(10 В)

<1,4

ТО-39

<4,7

ТО-5

<4,7

ТО-5

ТО-5

<Ю

ТО-5

<10

ТО-5

ТО-39

<7(40 В)

<400

<250*

<7(40 В)

<400

<250*

<7(40 В)

<400

<250*

<7(40 В)

<400

.250*


Tea приборе

Материал, структура, технология

- ? %

1 i а. а.

"*~ о»

ё S

а й й

к так

К. н max

2SC1056

Si, п-р-п, П

0,475

>75

BClOO

Si, п-р-п, П

0,590

BF47I KT6I8A

SI, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, П

1,8* 0,5

60 >40

300 300

50(100*) ШО

2SC506

Si, п-р-п, П

2SC788

SI, п-р-п, П

>б0

MJ420

SI, п-р-п, П

0,8(2,5*)

100(500*)

BF179C

Si, п-р-п, и

BFPI79C

SI, п-р-п, и

KT603A КТвОЗБ KT603B

КТ603Г

КТ603Д

SI. п-р-п, ПЭ

Si,rt-p-ft, ПЭ

Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ SI, п-р-п, ПЭ

(5(УС)

0,5 SOC)

0,5 (SOC)

0,5 (50<С)

0,5 (50«С)

0,5 (бОС)

0,5 (50С)

200 200 200 200 200

ЗО"!! к) 30*(] к) 15-(1 к) 15*(1 к) I0*fl к)

3 3 3 3 3

300(600*) 300(600*) 300(600*) 300(600*) 300(600*)

RT803E КТбОЗИ

BSW36

SI, п-р-п, ПЭ S1, ft-p-n, ПЭ

SI, п-р-п, П

>200 >200

>150

10*( к) 30*(1 К)

300(600*) 300(600*)

2N2237

Si, ft-p-n, ПЭ

2SC798

SI, ft-p-n, ПЭ

КТ6!вА

SI, п-р-п, ПЭ

20*(10к)

400(600*)

КТ616Б

Si, я-р-я. ПЭ

20*(10 к)

400(600*)

BSW41

Si, я-р-я, ПЭ

0,325(1*)

300(500*)

bsx89

Si, п-р-п, ПЭ

2SC396A

Si» я-р-п, ПЭ

0,25



0.06

<0,01 {200 В)

<50*(250В) .2(100 В)

<100(275В)

й1 мА (260 В)

-10(30 8) =10(30 В) <о(15В)

I(IOB) <1(10В) 10(30BJ

0,05 5

<15{ 10 В)

15( ШВ)

0,5(ЗОВ) 0,5(15В)

>20 (10 В; Ю мА) 40

(20 В: 10 ыА)

50 (20 В; 25 мА)

30 (40 В; 1 mAJ

30-150 (5 В; 50 мА) 100

(5 В; 10 мА)

>15 (20 В; I мА)

>20 (15 В; 20 мА)

:20 (15 В; 20 мА»

10-80 (2 В; 0,15 А)

>60 (2 В; 0,15 Л)

10-80 (2 В; 0,15 А)

:60 (2 В; 0.15 А)

"20-80 (2 В; 0,15 А)

60-200 (2 В;;0,15 А)

,,20 (2 В; 0.35 А)

:50 (I В; 0,05 А) 40-125 (I В; 0,1 А) 50*

(20 В; 15 мА)

S40 (I В; 0,5А} 25 (I В; 0,5 А;

(I В; 0,5 А)

0 (10 В; 10 ыА)

20-300 (I В; Ю чА)

<7(40 В)

<15 (50 В) 4

<12 (20 В) <3,5* (20 В) <3,5* (20 В)

<15

(10 В)

<15

(10 В)

<15

(10 В)

<15

(ЮВ)

<15

(10 В)

<15

(10 В)

<]5

(!0В)

<15 (10 В) <35

<15 (ЮВ) <]5 (ЮВ)

<8(ЮВ) 2.6(10 В) <6(10 В)

Кщ. дБ,

рас"

нькл

1" . НС UK

Коус

<1б0

<500

ТО-5

<800

ТО-126

<20

ТО-39

<170

ТО-6

<75

<100

ТО-39

ТО. 39

<400*

<100*

<7

<400*

<100*

<7

<400*

<100*

<J

<400

<100*

<7

<400*

<100*

<7

<400*

<Ю0«

<3,4

400*

100*

<4

150*

ТО-5

<2,5

600*

ТО-6

ТО-6

<50

<1,4

<1Ю

ТО-18

<б0

<76**

ТО-18

<25

<50

ТО-18



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 [38] 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0196