Отечественные полупроводниковые аналоги. Строительное электрооборудование

Разделы

Главная Публикации Новенькое из методичек Новенькое из публикаций Коммуникации Оборудование Схемотехнология

Главная Отечественные полупроводниковые аналоги

<0,1(50В) <0,1{ЗОВ) <0.t(30 В) <0,i(30B) <0,t(30 В) <0.И30В)

<изов) <i{30 В)

<i0(60 В)

«;0,1(2О В) <0,05(40 В)

<0,i(3OB)

<0,1(40 В) =skO,t(40B) <0,t(40Bj <0.](45 В) =0,1(20 6)

=10(60 8)

=0, t(30 В)

=?кО, 1(30 В)

=?кО, 1(20 В)

=5(60 В) 5(60 В)

40 (2 В;

40 (2 3;

40 (2 В;

-250 0,15 А) - 160 0,15 А) 1-250 0,15 А) -250 0,15 А) -250 0,15 А) 1-250 0,15 А) -240 0,05 А) -240 0,05 А)

20-200 (2 В; 0,15 А)

50-150 (2 В; 0,15 А)

40-120 (1 В; 0,1 А)

30 (1 В; 0,1 А)

70-240 (1 В; 0,1 А)

70-240 (1 В; 0.1 А)

40-240 (1 В; 0,0i А)

50-232 (1 В; 0,05 А)

60-160 (10 В; 0,15 А)

40-200 (5 В; 0,2 А)

40-250 (2 В; 0,15 А)

60-340 (Ш В; 0,5 А)

20-100 (5 В; 0,15 А)

50-200 (5 В; 0,15 А)

20(10 В) 20(10 В)

<S(10B)

<12 (10 В) :С5(10 В;

:С5(10 В)

<15 (10 В) <15 (10 В) <6(ШВ)

5,5(10 В)

<15 (10 В)

; 10(10 В)

<12 (10 В)

<0,8

<o,s

<0,8 <0,8 <1,6 <1,6

<з,з

<2,5

<15

<3,3

<1 <1

<3 3

<з,з

<120*

SO*"

<120

<100*

<]00»

<50

250 250 <30

<250

<2бО

Корпус

ТО-126 ТО-126 SOT-128 SOT-128 SOT-128 SOT-128 TO-126 TO-126

TO-92 Т0-Э2 TO-92 ГО-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92

SOT.28

S0T.2S

TO-126

Тип прибора	Материал. структура. т«иатогня	. ра о u а. 0. а,	tr* «	о в с S. 1 а t. а а	-25-	к max К. я max нА
2N22t8	Si, п-р-п, ПЭ		>250
2N2218A	Si, п-р-п, ПЭ
2N2219	Si, п-р-п, ПЭ		>250
2N2219A	Si, п-р-п, ПЭ		>250
2N4950	Si, п-р-п, ПЭ					1000
2N22I7	Si, п-р-п, ПЭ
2N2537	Si, п-р-п, ПЭ
2N2538	Si, п-р-п, ПЭ		Г-250
2N30I5	Si, п-р-п, ПЭ
BSW27	Si, n-p-rt, ПЭ	1(3*)	5э200			10(;0
2SCI09A	Si, п-р-п, Э		5100
BSX59	Si, п-р-п, ПЭ					1000*
BSX60	Si, п-р-п, ПЭ		>250			ЬОО*
BSX6]	Si, п-р-п, ПЭ					1000*
2N2410	Si, л-р-л, ПЭ
BSXP59	Si, п-р-п. ПЭ		5?250			ЮоО*
BSXP60	Si, л-р-п, ПЭ					100J*
BSXF61	Si, п-р-п. ПЭ		=250			1000*
КТ940А	Si, п-р-п, П	1,2(10*)	>90	300»		103(300*)
КТ940Б	Si, п-р-п, П	1,2(10*)		250*		100(300*)
К1940В	Si, п-р-п, и	1,2(10*)	>.90	160*		100(300*)
BF457	Si, п-р-п, П	1.2(10»)				100(300*)
BF458	Si, л-р-л, П	1,2(10*)				)00(300*)
BF459	Si, л-р-л, П	1,2(10»)				100(300*)
BF469	Si, п-р-п, ПЭ	2»(110° С)				20(10(j*)

. м-А

<0,OH5j В)

<o,U60B)

<,0,01(50B) <0,0Ц60В) 0.01(50 В) ,0,0i(50 В) 0,25(40 В) <0.25(40 В) <.0.2(30 В) =йО,5(20 В) <0,5(60 В)

0,5 0,3(30 В)

0,(5 (250 В)

*0,05 (200 3)

<0,(5 (IOOB)

==.0,05 (100 Bj

<0,(5 (200 В)

\05 (250 Ъ)

11.01 (200 В)

40-120 (ЮВ; 0.15 А) 40-120

Ю В; 0,15 А)

100-300 (Ю В; 0,15 А)

ао-300

(!0 Б; 0,15 А) 100-300

(10 В; 0,15 А) 20 -60

(10 В; 0,15 А) 5:-150

(10 В; 0,15 А)

100-300

(10 В; 0,15 А)

30-120 (ЮВ; 0,15 А)

20-60 (2 В; 0,10 А)

40-240 (2 В; 0.2 А)

5-25 (1 В; 0.5 А)

>25 (1 В; 0,5 А)

?>25 (1 В; 0.5 А; 30-120 по В: 0,15 А) 25 (1 В; 0,5 А)

25 (13; 0,5 А)

125 (1 В; 0.5 А)

>25 (10 3; 33 мА)

5 25 (10 В; 30 мА)

::-25 (10 В; 30 мА)

>25 (10 В; 30 mAj

5=25 (10 В; 30 мА)

5 25 по В; 50 vA)

550 (20 В; 25 мА)

/Сщ, дБ %\. «с.

8(Ю В)

<8fl0B)

<8(Ю В)

8(ЮВ)

<15 (ЮВ) 8(10 В)

,8(10 В)

:8(Ю В)

8(10 В)

<Ю (ЮВ)

<15 (ЮВк

<10 (10 В)

<10 (ЮВ)

(Ю 3f 01 (ЮВ)

(ЮВ) <]0

(Ю3> <10

(10 3)

4,2 (30 В) 4,2 (30 В) 4,2 (30 В)

5.5 (ЗОВ) 5,530 В)

5,5(30 В)

(30 В)

<2,е

<.2,6 <2 <3.4 <2,б

<з

-2,6

<3,5

<2,6

<33 <33 <33

<33 <33 <,33 33

<150*

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 [42] 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94

0.4449