Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



к DO /» „, мкА

О (40 В) ,0,5i4j В) :1(50 Bj Л(75 В) :1(30В) :!(30В)

<0,01(30 В1 <0,15(30 В) <!(80 В)

<0,](30 Bj <0,](30 Bj <0,]{30 В) <0,1(ЗОВ) <0,t(40 В) 0,1(40 В) 0,1(60 В) <0,](45 В) 0,t(60 B) •0. И 75 В)

21Э "21 d

40-10)

(5 В; 5 мА)

60-2) J (5 В; 5 мА)

(10 В; 10 ыА)

520 (to В; 10 чА)

(6 В; 2,5 мА) 60

(6 В; 2 mAj

40-260 (2 В; 0,15 А)

30-КО (2 В; 0,15 А)

ts-45 (2 В; 0,15 А)

40-250 (2 В; 0,15 А)

40-160 2 В; 0,15 А)

40-160 (2 В; 0,15 А)

60 (I В; 0,10 А)

60 (6 В; 0,!0 А)

50 (1 В; 0,25 А)

>50 (I В; 0,25 А)

50-150 (2 В, 0,1 А)

SO-150 (2 В; 0,1 А)

50-150

(2 В; 0,1 А)

е., пФ

10(5 BJ 6(5 Bj <7(20 В) ;7(20 В) 2,7(6 В) 3(6 В)

150 (10 В)

150 (iOBj

<150 (10 В)

<30 (10 В)

<зо

(ЮВ)

<15 (10 В)

<]5 (ЮВ)

10(10 В) 10(10 В) Ю(ЮВ)

<10j

2 2 <0

<1

<1

<2

<2

<]

<1

Ь**,. Ом llt>

<W0» 500* 500

рас»

t , RC ПК

75 75 75

Корпус

ТО-5

Ю-ЗЬ

ТО-ЗЭ

ЛО-39

то-39

ТО-126

ТО-126

ТО-126

х-81

х-81

х-81

х-81

х-51

х-51

х-51



Тршзисторы бллыиоЙ мощности низкой

npefSjpa

П201Э

П20!АЭ

П202Э

П203Э

2SB48I

2SB130

2SB180A

2SB18IA

GD6i7

GD6t8

GD6I9

0C3J

2SB367

2SB368

2SB473 2SB456 2SB466 2SB467 2SB448 ADP070

АОРбГ]

ADP672

П213

natsA

П213Б П2Н

П214А

П214Б

П214В П214Г П215

2N2836 AUY18 AD1202 ADt203 2 N2659

Материал, структура, техноло! ия

К, т :пдл,

К,и ffiex, Вт

КЕЮ проз"

V&R проб

и** R

КЭОпроб

<

1

Ge, р-п-р, С

>0,1*

Ое, р-п-р, с

>0,2*

1.5(2*)

Ge, р-п-р, С

50,1*

2(2,5*)

Ge, р-п-р, С

0,2*

2(2,5*)

Ge, р-п-р, С

0,015**

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

0,013**

Ge, р-п-р, С

0,013**

Ge, р-п-р, С

4{60С)

Ое, р-п-р, С

4(600

Ge, р-п-р, С

4(60С/

Ge, р-п-р, С

0,15

Ge, р-п-р, С

0,5*

Ge. р-п-р, С

0.5*

Ge, р-п-р, С

о,ог*

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

0,013*"

Ge, р-п-р, С

0,013**

Ge, р-п-р, С

о.ор-*

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

;о,1

Ge, р-п-р, С

5-0,1

Ge, р-л-р, С

11,5

>0,2

(45X1

Ge, р-п-рС

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

>0,2

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

:г.О 2

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

Ge, р-п-р, С

Ge. р-п-р, С

U(45X)

Ge, p-rt-p, С

1,5(3*)

Ge, р-п-р, С

1,5(3*)

Ос, р-п-р, С

0.28



вредней и высокой частот

кэо-

«А

КЭяас Ом

ВЫКЛ

, МКС

Кэраус

<1(45В) <t(45 В) <0.3(60 В)

<0,3(60 В)

<0,15(45 В)

<1.5(60В) < 1.50 В)

<]*(64 В) <0,1(М В) <-0.](14 В) 0.125

<0,4(20В) 20

(ЮВ; 0,2 А) <0,4(20В) 40

(ЮВ; 0,2 А) 0,4(30 В) 20

(Ю В; 0,2 А)

<О,4(30 В)

30-110(1 А) 0,1 20(1 В; 1,5 А) <0,5(30В) 70(1,5В;0,5А) 0,2(30 В) 70(1,5В: 0,5 А) <0,025(ЮВ) 40-230(0.5А) <0,025(10В) 100-300(0,5 А) <0,025(!ОВ) 40-36 (0,5 Aj 0,035(6 В) 18-110

(6 В; 0,1 А) <0,07(12 В) 50-80

(1,5 В; 0,5А1 <0,0?(12 В} 50-80

(1.5 В; 0.5 А) 0,015 40-(80(0,5 А) <0,tf80B) 80(( В; 0,3 А) <0,5(30В) 70(],5В;0,5 А) 0,2(30 В) 70(1,5 В; 0,5 А> <[ 30-110 (I

30-200 (6 В; 0,3 А)

30-200 (6 В; 0,3 А)

30-200 (6 В; О,ЗА)

<0,15(45В) 20-50(5В; I А)

г20(5В; 0,2 А> &40(5В; 0,2 А) 20-60 (5 В; 0,2 А)

50-150 (5 В; 0,2 А)

20-150 (5 В; 0,2 А) ?20(5В; 0,2 А)

20-150 (5 В; 0,2 А)

30(1 А) 75(0,5 В; 0,5 А) 35(7 В; 0,3 Af 35(7 В; 0.3 А)

30-90 (0.5 В; 0,5А)

<1.25 <1,25

<1,25

0,6 0,6

<1

<0,16

:1,25

<0.3

<о,з <о,з

1,25 <1,25

<о,з <ю

0,04 <0,25 <0,25 <:0,4

32 32

MD-9

MD-ll

ТО-8

ТО-8

SOT-9

S0T-9

S0T-9

MD-I1

ТО-бб

ТО-66

MD-9

Т0.8

AID-10

MD-lO

MD-ll

ТО-3

ТО-3

ТО-3

33 33

33 33

MD-I/

ТО-8 ТО-3 ТО-3 R-122



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 [44] 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0217