Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



Тнп прибора

Материал, структура, те]аюл01ия

Р„ , Вт

КБОпроб °

ЭБО проб °

/ /* К шах К, и шах Л

г" мА

MSA7606

2SC553

2SC543

Si, П-р-л, ПЭ Si, ПРП, ПЭ Si, л-р-л, ПЭ

00 400

65 65

<0,25** (30 В) =0,012(30 В)

КТ920А КТ920Б КТ920В КТ920Г

Si, л-р-л, ПЭ Si, л-р-л. ПЭ Si, л-р-л, ПЭ Si, л-р-л. ПЭ

5(50°С) 10 (50 «С) 25(50 °С) 25 (50 »С)

>400 >400 >400 50

36 36 36 36

4 4 4

0.5(1*) 1(2*) 3(7*) 3(7*)

<2* (36 В) <4* (36 В) <7,5* (36 В) <7,5* (36 В)

2N6995

2N5996

2N608n

2N608I

ВЬУбЗ

BLW18

BLy88A

Si, л-р-л, ПЭ Si, rt-p-л, ПЭ Si, л-р-л, ПЭ Si, n-p-rt, ПЭ

Si, л-р-л, ПЭ Si, л-р-л. ПЭ Si, л-р-п, ПЭ

10,7(75 °С)

35,7(75 О

:20 700

36 26 36 36 36 36 36

2,5(7,5*)

<5 (36 В) <15(36 В) <0,25(15 В) <0,5(15 В) 0,1

КТ922А КТ922В КТ922В КТ922Г КТ922Д

Si, n-p-n, ПЭ Si, n-p-n, ПЭ Si, л-р-п, ПЭ Si, л-р-п. ПЭ Si, л-р-п, ПЭ

8 (40 -С)

20(40 °С) 40 (40 •€) 20 (40 °с) 40 (40 *С)

300 >30П ГЗОО >300 :-250

65*(0,1к) 65* (0, U) 65* (0,1 к) 65*(0,1к) 65* (0,1к)

4 4 4 4

0,8(1,5*)

1.5(4,5*)

3(9*)

1,5(4,5*)

3(9*)

5* (65 В) 20* (65 В) <40* (65 В) <20* (65 В) <40* (65 В)

2N5G41

2N5642 2N6643 BLW24 2N4128 2N4127

Si, rt-p-n, ПЭ Si, л-р-л, ПЭ Si, л-р-л, ПЭ Si, л-р-п, ПЭ Si. п-р-л, ПЭ Si, п-р-л, ПЭ

30 60 25 40 25

>300 250 >200

>300 >200 00

65 65 65

60 60 60

4 4 4 4 4 4

<1(30 В) <1 (30 В) <1 (30 В)



Тай орибора

С. пФ

КЭ нас Ом

1, пс

r*Q. Ом

PEP Вт

КПД, %

fpa6 МГц

MSA7505

2SC553

2SC543

КТ920А КТ920Б КТ920В КТ920Г

2N5995

2N5996

2N6080

2N6081

BLY63

BLW18

ВЬУ88А

КТ922А

KT922D КТ922В КТ922Г КТ922Д

2N5641 2N5642 2N5643 BLW24 2N4128 2N4I27

25(4 В; 1 А)

55(5 В; 0,25 А) >5(5 В; 0,5 А) 10-120(5 В; 0,25 А) 40 (5 В; 0,5 А) 5(5 В; 0,5 А)

55(5 В; 0,1 А) >б (5 В; 0,2 А) 5 (5 В; 0,5 А) >6 (5 В; 2 А) 10-80 (5 В; 0,2 А) Ш-80 (5 В; 0,2 А)

<20(30 В) 14 (30 В)

<15(10 В) <25(10 В) <75(10 В) <75(10 В)

<80(12 В) «£100(12 В) <20 (15 В) <85(15 В)

<18(13 В) <30(15 В)

<15(28 В)

<36 (28 В

<65 (28 В)

<35 (28 В)

<65(28 В)

<15 (30 В)

<35 (30 В)

<55(30 В)

<25 (25 В)

0,35 0.6

<20 <20

<20 <20

<;20

20 е£25 <20 <25

= 10 10

14,5 6

>5

>15

>7 15 4 15 15 5 >15

5-40

>35

7 20 40 sl7 24 13.5

4,2 6

5,5 ,5

;--4,8

>4,8

.7 >4,5 12 ,3 4,7 10 >7,5

>10

57,4

55,5

>8А >8,2 5-7,6

55 55 55 65

75 50 50 70 60 65

550 Ss50 55(1

>бО >60

>60

400 400 175

175 175

175 175

175 175 175 175 175 175

175 175

175 175 175

175 175 175 175 175 175

28 28 28

12,6 12,6 12,6 12,6

12,5

12.5 12,5 12,5 13

11.6 13,5

28 28 28 28 28

28 28 28 28 25 25



Тна прибора

Матеркал, стр)гктура, технология

Я, .Вт

К пик

If а

ЭБО проб*

к так* к, Hmtu

КТ909А КТ909Б КТ909В КТ909Г

2N5177 2N5I78 РТ6670 РТ6680

КТ9КЧА КТ913Б КТ913В

2 N4430

2N4431

RFD410

RFD420

2SC978

BLX92

BLX93

NEI010E-28

2SC977

2N5764

2N5765

КТ911А КТ911Б

Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ Si. п-р-п, ПЭ

Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ

Si, п-р-п, ПЭ Si, rt-p-rt, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ

Si, rt-p Si, rt-p Si, rt-p Si, rt-p Si, rt-p Si, n-p Si, rt-p Si. rt-p Si, n-p Si, n-p Si, n-p

п.ПЭ •п,ПЭ •л, ПЭ л, ПЭ л, ПЭ л, ПЭ п,ПЭ л, ПЭ -п, ПЭ л, ПЭ л, ПЭ

Si, л-р-п, ПЭ Si, л-р-л, ПЭ

27 54 27 54

40 70 30 20

4,7(55 X) 8 (70С) 12

10 18

12,5

55=350 55=500 >300 .1450

500 500

55=900 >900 >900

600 600

1300 12(Ю 1200

1300

5900 750

60* (0,01к) 60* (0.01k) 60* (0,01к) 60*(О,01к)

60 60 55 60

55 55 55

55 55

55 55 65

50 55 55 55

55 55

3,5 3,5 3,5 3,5

3,5 3,5

3,5 3,5 3,5

3,5 3,5

3,5 3,5 3,5 3.5

2(4*) 4(8*) 2(4*) 4(8*)

0,5(Р

1(2*)

1(2*)

0,7(2*)

0,75

0,4 0,4

30* (60 В) <бО* (60 В) 30* (60 В) <бО* (60 В)

10 20

<25* (55 В) <50* (55 В 50* (55 В)

1 (28 В)

0,3 5

5 (55 В) <5(55 В)



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 [59] 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0235