Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



Тип гфибора

КТЭСЭА КТ9С9Б КТ909В

КТ909Г

2N5I77 2N5I78 РТ6670 PT66S0

КТ913А КТ913Б КТ913В

2N4430

2 N4431

RFD410

RFD42U

2SC978

BLX92

BLX93

NEI0I0E~28

2SC977

2N5764

2N5765

КТ9ПА КТ911Б

10-150(5 В; 0.1 А) 10-150(5 В; 0,2 А)

>10(Ш Bi 0,5 А) 5-10()0 В; 0,5 А) >10(10 В; 0,5 А)

20-200 (5 В; О, I А) 20-200(5 В; 0,1 А)

10-180(28 В; 50 1иА) 5 10(5 В; 0,1 А) 10-35(5 В; 0,1 А) 20-180(10 В; 0,5 А) 10-180 (28 В; 50м А) >20 (5 В; 0,1 А) >20(5 В; 0,1 А)

к- ™ r»g. Ом

РСР 1,т

Корпус

<30 (28 В)

5-20

5=55

<60 (28 ь)

>40

<35 (28 В)

-С30

>15

5г40

<Г)0 (28 В)

5=30

MD-3S

MD-3S

ТО-129

ТО-129

<7 (28 В)

<:18

>2

>10

1000

< 12 (28 В)

1 -

<15

>2

1000

14(28 В)

5-10

5-50

1000

S?35

ТО-129

S>35

ТО-129

1000

ТО-129

1000

ТО-129

1Г00

МТ-83

-

1000

МТ-84

1000

МТ.84

8(28 В)

1 -

1000

ТО-128

52,5

5-30

1000

МТ-83

1000

МТ-77

1000

МТ-77

<10(28 В)

<5

<25

>2,6

180О

<Ш(28 В)

<5

<25

5*0,8

5-2,5

1000



Тип прибора

Материал, CTpyifrypa, 1 е лиология

Р„ , Вт К max

У КБО проб

эБО проб

{кmax К.чтах А

КТ9ПВ КТ9ПГ

Si, Л-р-п, ПЭ Si, л-р-л, ПЭ

5900 750

40 40

0,4 0.4

<б (40 В) <5(40 В)

2N4429 2N4976 2N5481 2SC976

Si, п-р-л, ПЭ Si. п-р-л, ПЭ Si, л-р-л, ПЭ Si, п-р-п. ПЭ

5 5 5 5

>700 1000

1300

55 55 50 55

3,5 3.5 3

0,425 0,4 0.4 0,4

<0,1(28 В)

КТ902А KT9U2AM

51, п-р-я, Д

Si, л-р-л, Д

30 (50 "С)

30(50 °с)

>35 >35

65(110 нмп.) 65(110 нмп.)

<10(70 В) <10(70 В)

2SCIU1A ВГ)121 BDI23 2SD68

Si, л-р-л, М Si, л-р-л, Д Si, п-р-п, Д Si, л-р-л, М

35 45 45 50

20 60 60 40

70 60 90 60

5 6 6 5

5 5 5 5

0,1 0.

10(60 В)

KT9I2A КТ912Б

Si, л-р-п, П Si, л-р-п, П

30(85 °С) 30 (85 *С)

50 5-90

70* (0,01 к) 70* (0,01 к)

20 20

50* (70 В) <50* (70 В)

2N5070 2N6093 40675

Si, л-р-л, ПЭ Si, л-р-п, ПЭ Si, п-р-л. ПЭ

70 83,3

100(50 "С)

.-100

65 70 65

3,5 3,5

3,3(10*)

10(30*)

<10(60 В) <30* (60 В) <30* (60 В)

КТ903 КТ903В

Si, л-р-л, МП Si, л-р-л, МП

30(60*) 30 (60*)

>120 5?= 120

60(80 нмп.) 60 (80 И1ИП.)

3(5*) 3(5*)

<10* (70 В) <10*(70 В)

2N2947 2N2948 2SC517

Si, л-р л, ПЭ Si, п-р-п, ПЭ Si, п-р-л, ПЭ

25 10

>100 100 55=150

60 40 60*

3 2 4

1.5 2

<1 (50 В) <1(30 В) <0,01 (30 В)



Тнп прибора

кЭ нас Ом

\. ис rV Ом

PEP Вт

К ДБ

МГг;

Корпус

KT9I1B КТ911Г

<10(28 В) <10 (28 В)

<5 <5

<50 1С0

50,8

52 >2

1800 1000

28 28

45 45

2N4429 2N4976 2N5481 2SC976

20-200(5 В; 50 мА) 20-250(5 В. 50 мА) 20-250(5 В; 50 мА) 10(28 В; 20 мА)

1 I I

6 5 6

35 25

5 30

2000

2300

28 28 28

МТ-5Э ТО-129 МТ-74

МТ-83

КТ902А КТ902АМ

15(10 В; 2 А) 15(10 В; 2 А)

<300(10 В) ООО (10 Bj

20 20

7 >7

10 10

27 27

37 18

2SC10IA BD121 BD123 2SD68

30(10 В; 0,5 А) 15(10 В; 0,1 А) 15(10 В; 0,1 А) 60 (5 В; 1 А)

<0,б5 <0,65 0.3

!0-6б ТО-З ТО-З ТО-З

KT9I2A КТ912Б

10-50(10 В; 5 Л) 20-100(10 В; 5 А)

<0,12 <0,12

>70* 5=70*

>10 >10

>Б0 0

30 30

27 27

46 46

2N5070 2N6093 40675

10-100(5В; 3 А) 5=20(6 В; 5 А)

<85(30 В) <250 (30 В) <250 (30 В)

>25* 75*

>75*

5=13 13

::0 >40 ->40

30 30

28 28

10-60 МТ-67 МТ-67

КТ903

КТ903Б

15-70 (10 В; 2 А) 40-180(10 В; 2 А)

<ISO (30 В) <180 (30 В)

<1.2Б <1,2Б

>10

>4,8 5=4,8

50 50

30 30

37 37

2N2947 2N294e 2SC517

6-60 (2 В; 0,4 А) 2.5-100(2 В; 0,4 А) 10-140(5 В; 0.5 А)

=60(25 В) <б0 (25 В) 50(10 В)

<0,5 <0,5

15 15 6

5=60

50 30 50

25 25 24

ТО-З ТО-З ТО-37



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 [60] 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0105