Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



й Екэсвроб Лавинные транзисторы применяются в релаксационных генера-торах в ждущем ялн автоколебательном режимах.

С помощью лавинных транзисторов можно формировать на низкаомной нагрузке (50-70 Ом) амплитуды импульсов 10-15 В и выше при малом tgp (менее 1 не).

Нашей промышленностью выпускается лавинный транзистор типа ГТ338А -В, а за рубежом - ASZ 23. NS1110 -N51116; 2SA41I, 2SA252, ECL1239, 2N3033 - 2iN3035, PADT51, STfL3013, 2N5236, 2N527U

RTiiio -RTine.

Следует также отметить транзисторы, предназначен[1ые для использования в инверсном включении, которые применяются в модуляторах для стабильных усилителей постоянного тока, построенных но схеме модуляция - демодуляция, в схемах управления реверсивными двигателями, в логических схемах, амплитудных детекторах и других схемах. В некоторых схемах, например автомобильного зажигания и строчной развертки телевизоров, транзистор прн запирании может переходить в режим инверсного вк.пючения при работе на комплексную нагрузку.

Разработаны специальные модуляторные транзисторы, в основу которых положены две транзисторные структуры, так называемые двухэмитгерные транзисторы, имеющие лучшие параметры инверсного включения (тнпКТИЗ).

Для работы а выходных каскадах УНЧ радиовещательных приемников, высококачественных магнитофонов, радиол, телевизоров разработаны германиевые и кремниевые транзисторы разного типа проводимости (например, типы ГТ40], ГТ402, ГТ701, ГТ703). Они обладают слабой зависимостью усиления от тока, высокой частотой fhzis, малым напряжением кэнас

зволяет улучшить акустические показатели устройств в широком диапазоне звуховых частот. В свою очередь, это дало возможность упростить схемы усилителей, уменьшить число применяемых транзисторов, повысить надежность и снизить себестоимость устройств. Зависимости коэффициента усиления ftsLe от тока характеризуются коэффициентом линейности - отношением коэффициентов усиления прн двух значениях тока эмиттера.

Высокочастотные транзисторы. К транзисторам, предназначенным для работы на высоких и сверхвысоких частотах, предъявляется ряд дополнительных требований. Они должны иметь малые емкости между электродами, создающие паразитную обратную связь и малую индуктивность общего вывода. Кроме того, для получения максимального Кур необходимы высокая частота fry. малые значения Ти, С» и кэнас- При создании высокочастотных приборов вызывает затруднения воспроизводимость одинаковых значений параметров у приборов одного типа.

в принципе высокочастотные транзисторы могут работать и как усилители, и как генераторы; однако транзистор, хороший к-ак усилитель мощности, ие обязательно будет .хорош для генератора н наоборот. Высокочастотные мощные транзисторы характеризуются нараметрами -Рных, Кур, КПД, la? (критический ток определяет условную границу, при которой получаются-удовлетворительные частотные свойства транзистора). Факторы, определяющие усиление и ширину полосы транзисторных усилителей, могут быть найдены только Из совокупности свойств транзистора и схемы, в которой он используется. Кроме того, параметр Кур зависит от условий определения входной и выходной мощностей, поэтому имеется несколько коэффициентов, характеризующих усиление транзистора. В качестве обобщенной характеристики усилительных свойств транзисторов используется У-фуикцяя (максимальный Кур при обратной связи, нейтрализованной внешней схемой).

Для получения высокого КПД рабочая точка транзисторов периодически оказывается вблизи области насыщения. Высокочастотное напряжение насыщения (оно больше статического) определяет также значение выходной мощности па высокой частоте. Следует отметить, что использование транзисторов с большими пробивными (рабочими) напряжениями для низковольтных устройств нецелесообразно, так как они имеют большие напряжения насыщения и пониженный КПД.



Надежная работа мощных приборов при больших значениях Рвых обеспечивается лишь при понижении электрического и теплового режимов. Обычно значение Рвы указывается в справочниках для уровня, соответствующего надежной работе, и не превышает в режиме непрерывных колебаний 50% Рктах. На высоких частотах выходная мощность изменяется пропорционально 1/. Она монотонно возрастает до определенных пределов с ростом входной мощности и напряжения источника питания Як. *

Высокочастотные транзисторы, используемые в качестве усилителей мощности, должны иметь пробивное напряжение коллекторного перехода в 2- 3 раза больше £к. В схемах генераторов прн расстройке коллекторной цепи пиковое значение напряжения на коллекторе может достигать значений (3-4) Ец и более, особенно на нижнем участке рабочего диапазона частот.

Высокочастотные мощные транзисторы работают неЕ1адежно в режимах короткого замыкании в холостого хода н могут отказывать при рассогласовании нагрузки иа выходе, Например, транзистор 2N5178 обеспечивает мощность около 50 Вт на частоте 500 МГц лишь в тщательно настраиваемом узкополосном усилителе, и даже при слабом нарушении согласования возможен отказ.

Имеются высокочастотные транзипоры, которые могут работать прн всех условиях рассогласования нагрузочного сопротивления. Разработаны также приборы длн специальных областей применения, в которых требуются различные значении рабочего напряжения (б; 12, 13,5; 24; 28 В и др), с различным уровнем широкополосное ГИ, хорошей линейностью и т. п.

Для передачи информации с помощью кабелей (например, в кабельных телевизионных системах) разработаны специальные широкополосные линейные транзисторы, работающие в классе А или АВ, прн этом обеспечивается малый уровень искажений, вызываемых перекрестной модуляцией. Они имеют слабую зависимость коэффициента усиления от тока, малую емкость Си и применяются на частотах, много меньших, чем максимальная рабочая частота. Длястабилизации температурного режима в корпусе транзистора монтируют схему температурной стабилизации с диодом-датчиком температуры. Нелинейность таких транзисторов характеризуется коэффициентом интермо-дуляцнонных искажений. При сравнительной оценке линейности транзисторов могут использоваться зависимости 5г1(/к) и Зцфк).

Транзисторы для линейных широкополосных усилителей, работающих в режиме одной боковой полосы, характеризуются отдаваемой мощностью в пике огибающей (Ррер).

Мощные высокочастотные транзисторы могут использоваться в импульсном режиме, при этом выходную мощность можно повысить увеличением значений рабочих нанряженнй. Например, транзистор MSC1330 в непрерывном режиме имеет выходную мощность 30 ВТ на частоте 1,3 ГГц при Ек= =28 В, а в импульсном режиме (/о=10 мкс) при £к=40 В на той же частоте уже 70 Вт.

Современные мощные высокочастотные транзисторы имеют сложные геометрические и технологические структуры (нолосковые, многоэмиттерные, многоэлемеитиые). В этих структурах весьма вероятно развитие второго пробоя. Последний чаще всего проявляется прн работе или испытаниях транзисторов в статическом режиме или режиме класса А. Среди возможных причин отказа высоко- и сверхвысокочастотных усилительных транзисторов можно назвать возникновение генерации за счет паразитных реактивностей схемы, перегрузку при переходных процессах и действие статического электричества.



Раздел третий отечественные и зарубежные транзисторы

3,1. О взаимозаменяемости транзисторов и диодов

Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью полупроводниковых приборов, возникают при замене вышедшего из строя прибора, а также при определении возможности воспроизведения зарубежного образца РЭА

Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов Предполагает совпадение их по функциональному назначению, электрическим параметрам и характеристикам, конструктивному оформлению, габаритным и присоединительным размерам, массе, форме и расположению выводов, методам герметизации, электрической связи выводов с корпусом, надежности и стабильности. Однако такое полное совпадение практически невозможно из за разных причин. Процесс создания полупроводниковых приборов-это техно.погический комплекс, характерный для какой-либо страны, и а точности воспроизвести его абсолютно невозможно. Принципы и методы определения наиболее вероятного значения величин и установления норм и допусков электрических параметров, принятые в разных странах, также неодинаковы, В ряде случаев нормы, устанавливаемые иа значения параметров, могут в большой степени отличаться от реальных их значений.

Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических, механических и климатических испытаний, нормы на параметры - критерии годности при испытаниях, методики измерений, от которых зависят значения устанавливаемых параметров, многообразны и не универсальны. Кроме того, значения параметров приборов зависят не только от режима работы и температуры, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы н при хранении)

В настоящее время существуют международные стандарты и рекомендации различных международных комиссий, способствующие регламентированию терминологии, технических требований, классификации, методов измерении и других свойств приборов. Однако в отдельных странах имеются свои особенности в стандартизапии параметров и свойств приборов.

Эксплуатационные свойства транзисторов описываются больши.ч числом параметров, поэтому можно считать, что практически полная тождественность отечественных и зарубежных транзисторов недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной, ограниченной) или приближенной их Эквивалентности. Подбор аналогов должен Проводиться с учетом конкретной электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов. При воспроизведении технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться прежде всего требования к выходным параметвам. Поэтому не все параметрьг транзисторов будут одинаково важными, а только те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость.

Таким образом, наличие конкретной схемы приводит к сокращению числа рассматриваемых параметров и упрощению решения задачи по подбору эквивалентных приборов за счет выявленных требований к выходным параметрам и определения реального режима работы приборов. При анализе комплекса выходных параметров их условно можно разделить на целевые



0 1 2 3 4 5 6 7 [8] 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0099