Главная Отечественные полупроводниковые аналоги



(требуется наилучшее сочетание их значений) и второстепошые параметры (значения могут "меняться в достаточно широких пределах).

Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов будет зависеть ие только от их свойств, условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной гхемы, учитывающей номинальный разброс параметров и не требующей специального подбора приборов При замене зарубежного прибора отечественным, даже лучшим по параметрам, может потребоваться подстройка схемы, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация.

Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров отечественных и зарубежиых приборов из справочников, стандартов или технических условий ка этн приборы, где указывается основное (целевое) назначение приборов, технология изготовления, структура (р-п-р или " р-п). Предельные (предельно допустимые) параметры, данные об электрических параметрах и их изменениях от режима и температуры, тин корпуса и другие сведения

Следует отметить, что к зарубежной рекламной информации о новых приборах следует относиться критически, с достаточной осторожностью, так как обычно рекламируемые параметры соответствуют единичным образцам приборов с максимально достигнутыми (рекордными) значениями. В процес-

Се серийного производства значения этих параметров в среднем оказываются -хуже рекламных.

Полупроводниковые приборы, изготавливаемые в едином технологическом процессе, иногда разделяются по каким-либо параметрам на группы и собираются в различных корпусах. Например, транзисторы ВСЮ?-109 вы-лолнены в металлостеклянном корпусе ТО 18, приборы с таким же сочетанием параметров ВС147-149, ВС207-209, РВС107-109 имеют соответственно корпуса М1Л 12, RO-110, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном корпусе имеют эквиваленты в пластмассовом корпусе.

Некоторые фнрмы выпускают свои приборы но лицензиям других фирм или стран, присваивают им новые номера, иногда меняя нормы па их параметры.

Унификация и стандартизация отечественных полупроводниковых приборов и их корпусов позволила устранить излишнее многообразие типов приборов, выпускаемых нашей промышленностью.

Следует отметить, что взаимозаменяемость по присоединительным и габаритным размерам отечественных и зарубежных прнборов, которая определяет возможность замены приборов при соблюдении условий сопряжения с пгнелькамн, теплоотводами, изоляционными прокладками, экранами, с отверстиями в шасси (плате), может не выполняться (в основном для приборов, ле отвечающих требованиям МЭК).

3.2. Условные буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов

Буквенные обозначения параметров транзисторов, соответствующие пуб- лнкации МЭК 148, 148А, 148В и рекомендации по стандартизации СЭВ PC 3233-71, пршсятые за рубежом н стандартизированные ГОСТ 20003-74, лри водятся ниже



Буквевиое

обоаначенве параметров

отечествеякое

КБО ЭБО

кэ/?

КБО нреб

КЭОпроб

КЭО гр

КЭКдроб

KSf ироб

КЭХ проб

С£0

(BR) СВО

(BR) СЕО {L) СЕО

(Л?) CES

(м) CBV

(м) свх

Термин а определснке

Обратный ток коллекторного перехода при разомкнутой выводе эмиттера

Обратный ток эмиттерного перехода при разомкнутом выводе коллектора

Обратный ток между коллектором ж эмиттером при разомкнутом выво-

де базы

Обратный ток между коллектором R эмиттером при заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер

Обратный ток между коллектором и эмиттером при короткоэамкиутых выводах базы и эмиттера

Обратный ток между коллектором R эмиттером при запирающем напряжении (смещении) в цепи база--эмиттер

Обратный ток между коллектором R эмиттером при заданных условиях цепи база - эмиттер

Критический ток биполярного транзистора

Пробивное напряжение между коллектором и базой при разомкнутой цепи эмиттера

Пробивное напряжение между эмиттером и базой при разомкнутой цепн коллектора

Пробивное напряжение между коллектором н эмиттером прн разомкнутой цепи базы (Яэ -оо)

Граничное напряжение между кол лектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы [Iq-0) и заданном токе эмиттера

Пробивное напряжение между коллектором н эмиттером при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база - эмиттер

Пробивное напряжение между коллектором и эмиттером прн короткоэамкиутых выводах базы и эмиттера (Як.-=0)

Пробивное напряжение между кол-лектором и эмиттером при запирающем напряжении в цепи база - эмкттер

Пробивное напряжение между коллектором н эмнттером при заданных условиях в пепн база - эмиттер

Напряжение смыкакия биполярного транзистора



Буквенное обозначен! е параметров

отечественное

КЭнас БЭнас

ЭБ max КЭ, и max

КБ, я max

ЭВ, и -пах р

К ср max р

\tmax Р

Рвш Рвх

max К, н max Э, и max

зарубежное

СЕ sac

BEsat

EBfl

СВтак

СЕ max

ЕВ max СЕМ max СВМ так ЕВМ max Стах

пил max

Рш Рс

Pout

max Е max max СМ ЕМ max

Термнн и определение

Напряжение насыщения между коллектором и эмиттером

Напряжение насыщения между базой н эмиттером

Плавающее напряжение между базой и эмиттером

Максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и базой

Максимально допустимое постоянное напряжение между коллектором и

эмиттером Максимально допустимое постоянное

напряжение между эмиттером и

базой

Максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором и эмиттером

Максимально допустимое импульсное напряжение между коллектором н базой

Максимально допустимое импульсное напряжение между эмиттером и базой

Максимально допустимая постоянная мощность рассеяния коллектора

Максимально допустимая средняя мощность рассеяния коллектора

Максимально допустимая импульсная мощность рассеяния

Суммарное значение постоянной мощности рассеяния

Средняя мощность рассеяния

Импульсная мощность рассеяния

Постоянная мощность рассеяния коллектора Выходная мощность

Входная мощность

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

Максимально допустимый постоянный ток эмиттера

Максимально допустимый постоянный ток базы

Максимально допустимый импульсный ток иодлектора

Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

Входное сопротивление в режиме малого сигнала соответственно для схем с общим эмиттером н с общей базой



0 1 2 3 4 5 6 7 8 [9] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94


0.0173