Главная Диоды и транзисторы



Окончание

Подкласс приОороз

Условно-овозначение

Точечно-контактные кремниевые диоды Арсенид-галлиевые диоды с барьером Шотки Светодиоды красного цвета свечения Варакторы

Светодиоды желтого цвета свечения Новые полупроводниковые приборы Варисторы

Следует отметить, что внутрифирменные обозначения достаточно многочисленны.

1.3. СИСТЕМЫ ЦВЕТНОГО КОДИРОВАНИЯ ДИОДОВ

Для маркировки малогабаритных полупроводниковых диодов вместо цифровых и буквенных обозначений часто используется цветное кодирование.

По системе Pro Electron (рис. 1) первым двум буквам соответствует первая широкая полоса (АА -черная, ВА -красная), третьей - вторая широкая полоса (Z -белая, Y -серая, X-черная, W - синяя, V -зеленая, Т -желтая, S -оранжевая). Узкие полосы соответствуют цифрам.

Катав

ел г Si

Красный

\ ОранисеНыо

Серый белый

Рис. 1. Пример цветной маркировки по системе Pro Electron

Цифра

Цвет

Цифра Цвет

0 Черный

1 Коричневый

2 Красный

3 Оранжевый

4 Желтый

5 Зеленый

6 Синий (голубой)

7 Фиолетовый

8 Серый

9 Белый

В отличие от системы Pro Electron, в системе JEDEC одна широкая полоса (рис. 2). При использовании цветного кода в обозначении диодов по системе JEDEC первая цифра и буква N опускаются. Следующий за буквой N типовой номер, состоящий из двух, трех или четырех цифр, обозначается цветными полосами по следующим правилам.

Катов

Желтый I \ Серый коричиейый Желтый

Рнс. 2. Пример цветной маркировки по системе JEDEC

1. Номера, состоящие из двух цифр, обозначаются одной (первой) черной полосой и двумя (второй и третьей) цветными, соответствующими цифрам. Если в обозначении имеется буква, то используется четвертая полоса.

2. Номера нз трех цифр обозначаются тремя цветными полосами, соответствую-шимн цифрам. Четвертая полоса обозначает букву.

3. Номер, состоящий из четырех цифр, обозначается четырьмя цветными полосами и пятой черной. Если после цифр требуется обозначить букву, то используют пятую цветную полосу (вместо черной).

4. Для обозначения полярности цветные полосы либо смещаются ближе к ка- тоду, либо первая от катода делается более широкой (двойной ширины).

5. Тнп полупроводникового диода читается по цветным полоскам от катода.

В системе JEDEC цветное обозначение цифр такое же, как в системе Pro Electron.

1.4. УСЛОВНЫЕ ГРАФИЧЕСКИЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Ниже приводятся графические обозначения полупроводниковых приборов, принятые за рубежом, а также в соответствии с ГОСТ 2.730-73.

Условной

Наименоваине

графическое

обозначение

Выпрямительный днод

Туннельный диод

Обращенный днод

Односторонний стабилитрон

Двусторонний стабилитрон



Условное

графическое Обозначение

Наименование


Варикап

Двунаправленный диод Диодный тиристор

Симметричный диодный тиристор

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении выключаемый, с управлением по аноду

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, с управлением по аноду

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, выключаемый, с управлением по катоду

Триодный тиристор, запираемый в обратном направлении, с управлением по катоду

Транзистор типа р-п-р Транзистор типа п-р-п Лавинный транзистор типа п-р-п Однопереходныи транзистор с п-базой

Условное графическое обозиачение

* с

п П С

и п с

и п\с



П ПС

Наименование

Однопереходныи транзистор с р-базой Транзистор двухэмиттерный типа р-п-р

Полевой транзистор с каналом п-типа

Полевой транзистор с каналом р-типа

Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом

Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с р-каналом

Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с п-каналом

Полевой транзистор с изолированным затвором обогащенного типа с п-каналом и с внутренним соединением подложки и истока

Полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с р-каналом

Полевой транзистор с двумя изолированными затворами обедненного типа с п-каиалом н с выводом от подложки



РАЗДЕЛ ВТОРОЙ

ПАРАМЕТРЫ, ХАРАКТЕРИСТИКИ, РЕЖИМЫ РАБОТЫ И ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

2.1. особенности полупроводниковых приборов

Система и перечень параметров, включаемых в ту, характеризующие свойства полупроводниковых приборов, выбираются с учетом их физико-технологических особенностей и схемного назначения. В большинстве случаев необходимы сведения об их статических, динамических н предельных параметрах. Статические параметры характеризуют поведение приборов при постоянном токе, динамические - ИХ частотно-временные свойства, предельные параметры определяют область устойчивой и надежной работы. Способность полупроводниковых приборов работать в широком диапазоне токов и напряжений, отсутствие четко выраженных границ типовых режимов и чувствительность к электрическим перегрузкам обусловливают соблюдение норм параметров, установленных ту на конкретный тип прибора. В технической документации на приборы невозможно предусмотреть все случаи их практического использования, а введение в ту дополнительного гарантированного параметра сопровождается усложнением технологического цикла и повышением стоимости приборов.

В справочники, стандарты или ту на полупроводниковые приборы включается необходимая для детального расчета схем информация о параметрах: нормы на значения параметров, режимы их измерении, вольт-амперные характеристики, зависимости параметров от режима и температуры, максимальные и максимально допустимые значения параметров, конструктивно-технологические особенности приборов, их основное назначение, специфические требования, методы измерения параметров, типовые схемы применения.

Постоянные (случайные) изменения технологических факторов оказывают существенное влияние на значения параметров изготавливаемых приборов. Поэтому значения параметров даже одного типа приборов являются случайными величинами, т. е. имеется отклонение от среднего (типового, номинального) уровня. Дяч некоторых параметров устанавливаются граничные (предельные) значения (нормы) н возможные отклонения (разброс). Нормы на разброс параметров устанавливаются на основе экспериментально-статистических данных при обеспечении надежной и устойчивой работы приборов в различных условиях н режимах применения, а также исходя из экономических соображений.

В зависимости от технологии и качества изготовления приборы имеют различные диапазоны разброса параметров. Наименьший разброс у планарных приборов, наибольший -у сплавных. Для одних параметров (Кш, Ткбо, Ск, гоСк, Vkb нас) предусматривается одностороннее ограничение (по минимуму или максимуму), для других (h2i3, hjia, Uct) -двустороннее.

Параметры полупроводниковых приборов зависят от режима работы (тока, напряжения, частоты сигнала, температуры) и изменяются во времени. Изменение параметров во времени обусловлено температурно-зависимыми процессами на поверхности и в объеме полупроводника.

Параметры диодов и транзисторов, определяемые геометрией конструкции (длиной, шириной, площадью или объемом отдельных областей): емкости переходов

распределенное сопротивление базы, частотные характеристики - подвержены меньшим изменениям, чем параметры, зависящие от состояния поверхности. Состояние поверхности определяет значения и стабильность обратных токов, коэффициент усиления, пробивные напряжения.

В процессе старения ухудшаются электрические свойства приборов (увеличиваются обратные токи, уменьшаются коэффициент усиления и предельные напряжения переходов). Поэтому, если требуется долговременная стабильность свойств, приборы не должны подвергаться воздействию больших и длительных электрических нагрузок.

Значения параметров полупроводниковых приборов гарантируются для различных значений температуры (отрицательных и положительных). Зависимости параметров от температуры являются, как правило, нелинейными.

Необходимо отметить, что вследствие постоянного совершенствования конструкций и технологии изготовления приборов происходят изменения средних значений параметров. Некоторые образцы приборов имеют параметры лучше, чем приведенные в ту и справочниках.

В разных странах существуют региональные унифицированные стандарты на параметры и характеристики приборов, методики их измерений и контроля качества, которые могут существенно отличаться от международных стандартов.

2.2. максимальные и максимально допустимые параметры

Максимальные (предельные) параметры определяют режимы, при которых работа прибора недопустима, так как прибор может выйти нз строя или могут возникнуть необратимые изменения его свойств.

Максимально допустимые (предельно допустимые) параметры - это параметры (мощность, напряжение, ток, температура), при которых гарантируется стабильная и надежная работа данного прибора. Они устанавливаются с запасом по отношению к максимальным. Необходимый запас выявляется в результате длительных испытаний на надежность с учетом погрешностей измерения, нестабильности в процессе испытаний, возможности случайных колебаний технологического процесса. Не рекомендуется использовать полупроводниковые приборы в совмещенных предельно допустимых режимах и при длительной работе даже в одном предельно допустимом режиме, так как снижается надежность их работы.

2.3. рассеиваемая мощность

Рассеиваемая мощность определяется физическими свойствами полупровэд-никового материала, геометрическими, конструктивно-технологическими и тепловыми характеристиками прибора. Мощность, рассеиваемая диодом, равна сумме мощностей, рассеиваемых при прохождении тока в прямом и обратном направлениях: Pfl = Pnp-f Ровр«Рор (величиной Робр во многих случаях можно пренебречь из-за ее малости). Мощность, рассеиваемая транзистором, состоит из мощностей, выделяемых на переходах коллектор - база и эмиттер - база: Ровщ=Рэ--Ри = •=1bUb9+1kUk3« Рк (часто величиной Рэ можно пренебречь, так как Рэ<Рк).

Различают максимально допустимую рассеиваемую мощность в статическом и импульсном режимах. В последнем случае она зависит от формы, длителыюсти,



0 1 [2] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66


0.0139