Главная Диоды и транзисторы



рассеиваемая мощность не превышала предельно допустимого значения. В стабилитронах могут возникать два вида электрического пробоя: туннельный (эффект Зе-иера)-для диодов с Uct>5 В и лавииный -для диодов с Uot>7 В. В интерваче 5...7 В возникает смешанный вид пробоя. Напряжение Uot зависит от тока 1ст и от изменения температуры: с повышением температуры у диодов с Uct<5 В оно уменьшается (температурный коэффициент напряжения стабилизации ai7ci< <0), у диодов с Uci>7 В оно увеличивается (aujXi). Стабилитроны кроме рабочего режима в обратном направлении могут включаться и в прямом направлении, т. е. работать как обычные р-п переходы.

Основными параметрами и характеристиками стабилитронов являются: номинальное напряжение стабилизации Uct: стабильность величины Uct (разность двух напряжений Uct до и после испытаний, измеренных при одинаковых температуре и 1ст), Д£/от; температурный коэффициент напряжения стабилизации аст; номинальный ток стабилизации Ьт, при котором определяются классификационные параметры; минимальный ток стабилизации IcTmin (при рабочих токах, меньших IcTmin, возрастает дифференциальное сопротивление и пробой становится неустойчивым); максимально допустимый ток стабилизации 1ст mar, при котором гарантируется надежная работа (определяется максимально допустимой рассеиваемой мощностью); зависимость Uct от Ьт, определяющая сопротивление переменному и постоянному току; внешняя (показывающая закон изменения Uct при резком изменении температуры среды, что необходимо при осуществлении термокомпеиса-ции) и внутренняя тепловые переходные характеристики; дрейф Uct во времени; предельно допустимые параметры.

Абсолютный температурный коэффициент напряжения стабилизации ai7cTa= = dUcT/dT«AUcT/AT, мВ/°С, при IcT=const, а относительный асто» «AUcT-100/(UcT-AT), %/°С. Температурные изменения Uct могут быть уменьшены последовательным подключением к стабилитрону, работающему в обратном направлении, компенсирующего р-п перехода (одного или несколько) илн другого стабилитрона в прямом направлении, а также последовательным подключением терморезисторов. Напряжение Uct при неизменных 1ст и Токр меняется во времени незначительно. Следует отметить, что у стабилитронов с лавинным механизмом пробоя имеются собственные шумовые токи и напряжения.

Дифференциальное сопротивление Кд -это отношение приращения падения напряжения иа стабилитроне к вызвавшему его приращению тока при заданном 1ст, а статическое сопротивление Rex- отношение постоянного напряжения на стабилитроне к току через него.

Динамическое сопротивление переменному току примерно обратно пропорционально 1ст в области малых токов и мало зависит от Ьт в области больших токов, т. е. при работе стабилитрона в качестве источника опорного напряжения через него должен протекать ток более IcTmin.

Стабилитроны подразделяются иа прецизионные (у которых в иачестве классификационных параметров используются аиг, AUct), и общего назначения. Они применяются в стабилизаторах и ограничителях напряжения, а также в качестве источников опорного (эталонного) напряжения (разброс Uct не должен превышать 0,1%).

РАЗДЕЛ ТРЕТИЙ

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ И ЗАРУБЕЖНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

3.1. о взаимозаменяемости полупроводниковых приборов

Вопросы, связанные с взаимозаменяемостью отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов, возникают при необходимости замены вышедшего из строя прибора в конкретной аппаратуре, а также при определении возможности воспроизведения интересующего устройства (схемы).

Полная аналогичность (эквивалентность) отечественных и зарубежных полупроводниковых приборов предполагает совпадение их функционального назначения, электрических параметров и характеристик, конструктивного оформления, габаритных и присоединительных размеров, массы, формы и расположения выводов, методов герметизации, электрической связи выводов с корпусом, надежности и стабильности. Однако полного совпадения получить практически невозможно, так как процесс создания полупроводниковых приборов - это технологический комплекс, характерный для каждой фирмы-изготовителя.

Принципы и методы определения наиболее вероятных значений и установления норм и допусков электрических параметров, принятые в разных странах, неодинаковы. Очевидно, что в ряде случаев нормы, устанавливаемые на параметры, могут значительно отличаться от нх реальных значений.

Режимы, условия, методы проведения различных видов электрических, механических и климатических испытаний, нормы на параметры -критерии годности при испытаниях, методы измерений, от которых в общем зависят устанавливаемые параметры, многообразны, принципиально различны и не универсальны. Кроме того, значения параметров приборов зависят ие только от режима работы и температуры, но и изменяются со временем (дрейф параметров во время работы и при хранении). В настоящее время существуют международные стандарты и рекомендации различных международных комиссий, способствующие регламентированию терминологии, технических требований, классификации, методов измерения и других свойств приборов. Однако в отдельных странах имеются свои особенности в стандартизации параметров и свойств приборов.

Эксплуатационные свойства транзисторов описываются большим числом параметров, поэтому можно считать, что практически полная тождественность отечественных и зарубежных транзисторов недостижима и не во всех случаях необходима. Целесообразнее говорить о частичной (неполной) или приближенной их эквивалентности. Подбор аналогов должен проводиться с учетом конкретной электрической схемы, а не только путем формального сравнения всех параметров приборов (показателей функционирования) в совпадающем или близком режимах измерений. При воспроизведении технических показателей схемы (узла, каскада) должны удовлетворяться прежде всего требования к выходным параметрам. Поэтому не все параметры транзисторов будут одинаково важными, а только те, по которым должна быть обеспечена взаимозаменяемость.

Таким образом, наличие конкретной схемы приводит к сокращению числа рассматриваемых параметров и упрощению решения задачи по подбору эквивалентных приборов за счет выявленных требований к выходным параметрам и определения реального режима работы приборов. При анализе комплекса выходных па-



раметров их условно можно разделить на основные (требуется наилучшее сочета» нне их значений) и второстепенные (значения могут меняться в достаточно широких пределах) параметры.

Взаимозаменяемость отечественных и зарубежных приборов зависит ие только от их свойств, условий эксплуатации и режимов применения, но и от рационально разработанной схемы, учитывающей номинальный разброс параметров и ие требующей специального подбора приборов. При замене зарубежного прибора отечественным, даже лучшим по параметрам, может потребоваться подстройка схемн, чтобы не ухудшилась работа каскада и не возникла паразитная генерация.

Подбор аналогов должен осуществляться сравнением электрических параметров (показателей функционирования) отечественных и зарубежных приборов из справочников, стандартов нлн технических условий на эти приборы, где указывается основное (целевое) назначение приборов, технология изготовления, структура (р-п-р или п-р-п), предельные (предельно допустимые) параметры, данные об электрических параметрах и их изменениях от режима и температуры, тип корпуса и другие сведения.

Следует отметить, что к зарубежной рекламной информации о новых приборах следует относиться критически, с достаточной долей осторожности, так как обычно рекламируемые параметры соответствуют единичным образцам приборов с максимально достигнутыми (рекордными) значениями. В процессе серийного производства значения этих параметров в среднем оказываются хуже рекламных.

Полупроводниковые приборы, изготавливаемые в едином технологическом процессе, иногда разделяются по каким-либо параметрам на группы и собираются в различных корпусах. Например, транзисторы ВС107 -ВС109 имеют металлостек-лянный корпус ТО-18, приборы с таким же сочетанием параметров БС107Р - ВС109Р, ВС147 -ВС149, ВС207 -ВС209, РВС107 - РВС109 имеют соответственно корпуса Х-55, ММ-12, RO-UO, ТО-98. Многие приборы в металлостеклянном корпусе имеют эквиваленты в пластмассовом корпусе.

Некоторые фирмы выпускают свои приборы по лицензиям других фирм или стран, присваивают им новые номера, иногда меняя нормы на некоторые параметры.

Унификация и стандартизация отечественных полупроводниковых приборов и их корпусов позволила устранить излишнее многообразие типов приборов, выпускаемых нашей промышленностью.

Следует отметить, что взаимозаменяемость по присоединительным и габаритным размерам отечественных и зарубежных приборов, которая определяет возможность замены приборов при соблюдении условий сопряжения с панельками, теплоотводами, изоляционными прокладками, экранами, с отверстиями в шасси (плате), может не выполняться (в основном для приборов, не отвечающих по габаритным размерам требованиям МЭК).

3.2. БУКВЕННЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ И ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Буквенные обозначения параметров биполярных транзисторов, соответствующие публикациям МЭК 148, 148А, 148В и рекомендации по стандартизации СЭВ PC 3233-71, принятые за рубежом и стандартизированные ГОСТ 20003-74, приводятся ниже.

отечественное

зарубежное

Термин

1яБ0

Ikso Ikbr

Iksk

I/tsr

1кэх

Ukbo проб Uaso проб Ukso bpo6

Ukso rp

Uksb проб Uksx проб UkSV проб Uk9X проб

UcMK

Uks вас Ubs нас UsB пл

IcBO

IcEO IcEB

Ices

ICEV IcEX

U(bb)cbo U(bb)ebo U(bb)cbo

U(l)ceo

U(bb)cbb

U(bb)ces

U(bb)cbv

U(bb)cex

UcE sat Ube eat

Ubb fi

Обратный ток коллекторного перехода при разомкнутом выводе эмиттера

Обратный ток эмиттерного перехода прн разомкнутом выводе коллектора Обратный ток коллектор - эмиттер прн разомкнутом выводе базы Обратный ток коллектор - эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база - эмиттер

Обратный ток коллектор - эмиттер при коротко замкнутых выводах базы и эмиттера

Обратный ток коллектор - эмиттер при запирающем напряжении (смещении) в цепн база -эмиттер Обратный ток коллектор - эмиттер при заданных условиях цепи база - эмиттер

Критический ток биполярного транзистора

Пробивное напряжение коллектор - база при разомкнутой цепн эмиттера Пробивное напряжение эмиттер - база при разомкнутой цепн коллектора Пробивное напряжение коллектор - эмиттер при разомкнутой цепи базы

(R63 = oo)

. Граничное напряжение коллектор - эмиттер при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера Пробивное напряжение коллектор - эмиттер при заданном (конечном) сопротивлении в цепи база -эмиттер Пробивное напряжение коллектор - эмиттер при коротко замкнутых выводах базы и эмиттера (Rea=0) Пробивное напряжение коллектор - эмиттер при запирающем напряжении в цепи база - эмиттер Пробивное напряжение коллектор - эмиттер при заданных условиях в цепн база - эмиттер

Напряжение смыкания

Напряжение насыщения коллектор - эмнттер

Напряжение насыщения база-эмиттер

Плавающее напряжение эмиттер - база



Буквенное обозначение параметра

отечественное

зарубежное

Термин

Буквенное обозначение параметра

Термин

отечественное

зарубежное

Ukb max

Uks max Use шлх Uks, и max Ukb, и max Use, и max Pk max Pk, cp max Ри max

Рвых Pax Ik max

1э max Ie max Ik, и max 1э, и max

hu3, hi6

UcB max UcE max Ueb max UcBM max UcBM max Ubbm max Pc max

PiVf max

Ptot

Рядг

Pout

Ic max

Ib max

Is max

\cM max

Ibm max

hue, /tub hie, hib

hfe, h(b

P, a

Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - база Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор - эмиттер Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер - база

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - эмиттер

Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор - база Максимально допустимое импульсное напряжение эмиттер -база Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора

Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора Постоянная рассеиваемая мощность коллектора

Выходная мощность биполярного транзистора

Входная мощность биполярного транзистора

Максимально допустимый постоянный ток коллектора

Максимально допустимый постоянный ток эмиттера

Максимально допустимый постоянный ток базы

Максимально допустимый импульсный ток коллектора Максимально допустимый импульсный ток эмиттера

Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмиттером и общей базой соответственно. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмиттером и общей базой соответственно

hi23, hi2e

h223, h226

ih2i3 hiia h2is

Yua, Yii6 Yl23, Y26

Y213, Y2ie

Y223, Y223 Y219

Сцэ, C]6

С22Э, C226

c„ c,

Tk, гбСк

hi2e, hi2b hre, hrb

h22e, h22b hoe, hob

hiiB hjB

h2lE

Yue, Ynb

Yie, Yib

Y2e, Yl2b Yre, Yrb

Y2le, Y2ib Yfe, Y,b

Y22e, Y22b Yoe, Yob

Y21E

Cie, Cub C22e, C22b Co

Tc, rbbCc

Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмиттером и общей базой соответственно

Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмиттером н общей базой соответственно Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте

Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмнттером в режиме большого сигнала Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмнттером Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмиттером и общей базой соответственно Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмиттером и общей базой соответственно

Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмиттером и общей базой соответственно

Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схемах с общим эмнттером и общей базой соответственно Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Входная емкость биполярного транзистора в схемах с общим эмиттером н общей базой соответственно Выходная емкость биполярного транзистора в схемах с общим эмнттером и общей базой соответственно Емкость коллекторного перехода Емкость эмиттерного перехода

Сопротивление базы биполярного транзистора

Постоянная времени цепи обратной связи коллекторной цепи



0 1 2 3 4 5 6 7 [8] 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66


0.016