Главная Диоды и транзисторы



Продолжение

Окончание

Буквенное обозначение параметра

Буквенное обозначение параметра

Термин

отечественное зарубежное

Термин

отечественное

зарубежное

Sua, Su6, SiiK

Si2a, Si26, Si2K

Saia, 5216, S2

S22a, S226, S22K

fh216

fmax

tpao

1вкл

1аыкл

Гкз нас Кур

Sue, Sub, Sue Коэффициент отражения входной це-

Sie, Sib, Sio пи биполярного транзистора в схе-

мах с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором Si2e, Si2b, Si2e Коэффициент обратной передачи на-

Sre, Srb, Src пряжения биполярного транзистора

в схемах с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором

S2ie, S2ib, S21C Коэффициент прямой передачи на-

пряжения в схемах с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором

S22e, S22b, S220 КоэффиЦИвНТ ОТрЭЖеНИЯ ВЫХОДНОЙ

Soe, Sob, Soo цепи биполярного транзистора в схе-

мах с общим эмиттером, общей базой и общим коллектором fh2ie, fh(e Предельная частота коэффициента

fh2ib, fhtb передачи тока биполярного транзи-

стора в схемах с общим эмиттером и общей базой

!т Граничная частота коэффициента пе-

редачи тока в схеме с общим эмиттером

fee, fsb, fee Частота, при которой коэффициент

прямой передачи напряжения равен единице: S2ie=l, Sjib=l, S2ic = = 1

fmax Максимальная частота генерации би-

полярного транзистора

F Коэффициент шума биполярного

транзистора

td Время задержки биполярного тран-

зистора

tr Время нарастания для биполярного

транзистора

ts Время рассасывания для биполярно-

го транзистора

tt Время спада для биполярного тран-

зистора

ton Время включения биполярного тран-

зистора

torr Время выключения биполярного тран-

зистора

rcEsat Сопротивление насыщения

Qp Коэффициент усиления по мощности

биполярного транзистора

Ga, Ga Номинальный коэффициент передачи

(усиления) по мощности биполярного транзистора

Токр

Rt, п-с Rr, п-к Rt, к-с Тт, п-к Тт, п-е Тт, к-е

Тс, Tease, вс, ©с Та, Tamb, вл, ©А Tj, Tj

Tstg

RthJa

Rlhjo

Rthca

Tthjo

Tthja

Tthca

Номинальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора при согласованной нагрузке Максимальный номинальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора при одновременном согласовании входа и выхода

Температура корпуса

Температура окружающей среды

Температура перехода

Температура хранения

Тепловое сопротивление переход -

окружающая среда

Тепловое сопротивление переход -

корпус

Тепловое сопротивление корпус - окружающая среда

Тепловая постоянная времени переход-корпус

Тепловая постоянная времени переход - окружающая среда Тепловая постоянная времени корпус - окружающая среда

Буквенные обозначения параметров полевых транзисторов, соответствующие публикации МЭК 747-8 и ГОСТ 19095-73, приведены ниже.

Буквенное обозначение параметра

отечественное

зарубежное

Термин

1с ост 1с нагр

1свач 1и

1и ост 1я вач

Idsr

Idss Is

IsDjr IsDS

Ток стока

Остаточный ток стока

Ток стока при иагружеи-ном затворе

Начальный ток стока

Ток истока

Остаточный ток истока Начальный ток истока Ток затвора



отечественное

зарубежное

Термин

1з ир hco

Ь ут

Ь ото

изя пор

изи пр

изи обр

U31-U32

Us проб UsH ото

Igdo

laso

loss Igsx Ib, lu

Прямой ток затвора

Обратный ток перехода затвор - сток

Обратный ток перехода затвор - ясток

Ток утечки затвора

Ток отсечки затвора

Ток подложки

Напряжение сток - исток

Напряжение затвор - исток

Uosr, U(}s(th), Uas(To) Пороговое напряжение

полевого транзистора

VasR

UsB, User Udb, Vdu

UoB, Ugc

Ugi-G2 u(br)gss

UgS(OFF), UGS(ott)

Прямое напряжение затвор - исток

Обратное напряжение затвор - исток

Напряжение затвор - сток

Напряжение исток - подложка

Напряжение сток - подложка

Напряжение затвор - подложка

Напряжение затвор - затвор (для приборов с несколькими затворами)

Пробивное напряжение затвора

Напряжение отсечки полевого транзистора

Рассеиваемая мощность сток - исток

Буквенное обозначение параметра

Термин

отечественное

1 зарубежное

Кси отк

Tds(OS), rds(on), res on

Сопротивление сток - исток в открытом состоянии

Rcji за к

TDSWFF), rdS(ott), TdS ott

Сопротивление сток - исток в закрытом состоянии

Сз1!0

Cgso

Емкость затвор - исток

с зс 0

Cgdo

Емкость затвор - сток

Сс ио

Cdso

Емкость сток - исток

Cisa, Cuss

Входная емкость полевого транзистора

С22И

Coss, Сггва

Выходная емкость полевого транзистора

giss, gUB

Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора

gos!, g22«

Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора

Cl2H

Crss, Ci2ss

Проходная емкость полевого транзистора

С22!

У12а

У21»

Cods, C22ds

Yis. yus

УГ8, yi2S

yts, y2is

Выходная емкость полевого транзистора (затвор - сток по переменному току)

Полная входная проводимость полевого транзистора

Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора

Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора



Буквенное обозначение параметра

Термин

отечественное

зарубежное

У22Я

Ub Кп

taa выкл

tвыкл

Уо., У22а

Gp, Gp

fyte

gma Un

Ords

td(an)

td(otn

Полная выходная проводимость полевого транзистора

Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора

Частота отсечки полевого транзистора в схеме с общим истоком

Крутизна характеристики полевого транзистора

Шумовое напряжение

Коэффициент шума полевого транзистора

Температурный коэффициент тока стока

Температурный коэффициент сопротивления сток - исток

Время задержки включения полевого транзистора

Время задержки выключения полевого транзистора

Время нарастания для полевого транзистора

Время спада для полевого транзистора

Время включения полевого транзистора

Время выключения полевого транзистора

отечественное

зарубежное

Термин

1з(ут)1 -1з(ут)2 1с(вач)1/1с(иач)2

g22(B)l - g22(n)2 g2IBl/g21B2

изЯ1 - изИ2

д(изи1-изи2)/дт

Для сдвоенных полевых транзисторов Igssi- Igss2

Idssi/IdsS2 G22S1-G22S2

gt9l/gt.2

Uosi-Uas2 A(Uosi-Ugs2)/AT

Разность токов утечки затвора

Отношение токов стока при нулевом напряжении затвор - исток

Разность активных выходных проводнмостей

Отношение активных проводнмостей прямой передачи

Разность напряжений затвор - исток

Температурный уход разности напряжений затвор - исток

3.3. отечественные транзисторы и их зарубежные аналоги

Прн подборе аналогов к отечественным транзисторам учитывались основное назначение приборов, электрические параметры и характеристики, а также их конструктивно-технологические особенности.

Для отечественных транзисторов приводятся несколько приближенных зарубежных аналогов, отличающихся по электрическим параметрам не более, чем в два раза. В таблицах приняты следующие сокращения параметров и технологий изготовления транзисторов: С - сплавные, D - диффузионные, МД - микросплавные диффузионные, ТД-тройной диффузии, CD - сплавно-днффузиониые, К-конверсионные, М - меза, П - плаиарные, ПЭ - планарно-эпитаксиальные, 1пк - время переключения, Ge -германий, Si -кремний.

В таблицах для рассеиваемой мощности в скобках указана температура окружающей среды, а также рассеиваемая мощность транзистора с теплоотводом, для ииввпрсв -Rea, для Ukbo проб - импульсное значение в вольтах. Значения параметров приводятся для температуры окружающей среды 25 °С.

Режимы измерений параметров Ьлэ(ик; 1к), h2is(Uif; 1к), Ikbo(Uk), Ck(Uk), Кш(1яам) указаны в скобках.

Для параметров frp, fh213, fh2l6, IkbO, h2lS, h2la, Си, Гкэиас, Кш, tpao, tjuKi,

ГбСк приводятся знаки (больше) или < (меньше). Если они отсутствуют, ука-зываетси типовое значение параметра.

В некоторых графах таблиц приводятся несколько параметров, отмеченных *, **, ***, которым соответствуют значения с теми же знаками.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 [9] 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66


0.0144