Главная Источники вторичного электропитания - часть 2




Рис. 8.29. Схема стабилизатора понижающего типя. с микросхемой

К142ЕП1

напряжения Лдоп через резистор и насыщенный транзистор VTj. Сопротивление резистора Rg рассчитывается по формуле

Ri =•-

£доп - 2У ПР - кэнас

г t/пр -

VDi, VD2, необходимых дли защиты транзисторов VTg и VT от обратного напряжения; (кэнас - напряжение насыщения транзистора VT: /зз„ = (2-5) /кт/Л21эЗтг«»21э4тт- запирающий Ток. Выбор и расчет элементов R, R, R и VTi, VT может быть проведен по методике § 8.2.

Транзистор VT необходим для подачи напряжения питания иа микросхему, конденсаторы С,, емкостью 2-5 мкФ осуществляют фильтрацию напряжений, а Cg необходим для устранения самовозбуждении и подбираетси экспериментально в пределах 1000 - 5600 пФ. Сопротивлении резисторов R и соответственно равны 3 и 10 кОм. Расчет выходного делителя R, Rio, Rp может быть проведен по методике § 5.2; при этом ток через делитель должен быть равен или более 1,5 мА; напряжение на резисторе Rg должно регулироваться в пределах 1,5-3 В (при отключенном выводе 13). Силовая часть стабилизатора может быть рассчитана по методике, изложенной в § 8.3.

Поскольку в данной схеме отсутствует задающий генератор, то ИСН работает в релейном режиме.

На рис. 8.30 приведена схема ИСН повышающего типа с пассивным запиранием регулирующего транзистора {VT, VTg), управление которым осуществляется транзистором К7", от внешнего ЗГ или выходного транзистора микросхемы К142ЕП1. Назначение элементов VTi, Ci, Cj, Rg, Ri. Rp такое же, как и аналогичных элементов на рнс. 8.29. Резистор R служит для подачи модулированного по длительности напряжении на выходной транзистор микросхемы.





Рис. 8.30. Схема стабилизатора повышающего типа с микросхемой

К142ЕП1

С применением микросхемы К142ЕГИ может быть построена также схема ИСН инвертирующего типа (рнс. 8.31). В отличие от двух предыдущих схем здесь питание УПТ и триггера микросхемы осуществляется через внутренний транзистор (выводы /, 2, 16) микросхемы. Регулирующий транзистор (VT„ VT3) ИСН управляется транзисторами КГ,, VTt " выходным напряжением (с вывода ) микросхемы.

К недостаткам схем ИСН с применением микросхемы К142ЕП1 относятся:

большой коэффициент усиления УПТ микросхемы, значение которого ие может регулироваться внешними элементами из-за отсутствия внешнего отвода с выхода УПТ; входное напряжение микросхемы должно иметь, малую амплитуду пульсации, что приводит к увеличению коэффициента сглаживания фильтра, т, е. увеличению его габаритов и массы (особенно при больших мощностях).


Рис. 8.31. Схема стабилизатора инвертирующего типа с микросхемой

К142ЕП1



Включение конденсаторов для устранения самовозбуждения ИСН вызывает существенное ухудшение его динамических характеристик;

очень трудно осуществить широтио-импульсную модуляцию подачей на выводы 14. 15 синхронизирующего напряжения также из-за большого коэффициента усиления УПТ;

при малых выходных мощностях (2-5 Вт) потребляемая микросхемой мощность существенно снижает КПД стабилизатора.

Сравнительный анализ и рекомендации по применению импульсных стабилизаторов

В импульсных Стабилизаторах понижающего типа (см. рис. 1.10) стабилизация напряжения на нагрузке может быть осуществлена независимо от кратности отношений выходного напряжения ко •входному напряжению питания Каиг~ Uh/U,i<. 1 и потерь в дросселе и полупроводниковых приборах к сопротивлению нагрузки а. Постоянное участие дросселя в сглаживании переменного напряжения, поступающего на вход фильтра после регулирующего транзистора, позволяет получить минимально возможные значения импульсного н эффективного тока, протекающего через конденсатор С„, а также небольшие габариты н массу 1С„-фильтра. Максимальное рабочее напряжение на регулирующем транзисторе и блокирующем диоде не превышает Uamax< а средние значения токов, протекающие через них, соответственно равны

В импульсных стабилизаторах повышающего типа (см. рис. 1.11) практически невозможно осуществить стабилизацию напряжения на нагрузке (и тем более получить Кпчг 2) приа > 0,1. Повышенная амплитуда напряжения на дросселе ( = ma.v (* ИСН понижающего типа на интервалах времени уТ н (I - у) Т напряжение на дросселе соответственно равно ~ Unmax~ " я5 и), а также периодическое отключение дросселя от конденсатора приводит к большим значениям действующего /с д и импульсного токов, что вызывает увеличение массы и габаритов сглаживающего фильтра. Максимальное рабочее напряжение на транзисторе и диоде t/g та;( ~ н обр.н.р. "то превышает напряжение питания i/nmai:, а средние значения токов через транзистор и днод соответственно равны

Vc:~ max Утах! -Утах) ** Л1р.ср~/и,

которые также превышают соответствующие значения для ИСН понижающего типа.

В импульсных стабилизаторах инвертирующего типа (см. рис. 1.12) при а > 0,1 практически невозможно получить выходное напряжение кратностью /(пит > Поскольку режим работы дросселя в ИСН повышающего и инвертирующего типов почти одинаковый, то для данного ИСН в отличие от схемы на рнс. 1.10 также характерны большие значения импульсного и эффективного токов, протекающих через конденсатор С», и увеличение массы и габаритов фильтра. Максимальное рабочее напряжение на транзисторе и диоде i/кэталг обр. и.р ~ (п ша; + н)< средние значения токов через транзистор и диод такие же, как в ИСН повышающего типа.



0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 [112] 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189


0.0106