Главная Источники вторичного электропитания - часть 2 Рис. 2.5. Вольт-амперная характеристика стабилитрона Рис. 2.6. Вольт-ампериая характеристика стабистора билитроне, при которой обеспечивается заданная надежность. В табл. 2.2 приведены также данные стабисторов. Стабисторы - полупроводниковые стабилитроны, в которых областью стабилизации является прямая ветвь ВАХ (рис. 2.6). В диапазоне изменения прямого тока от некоторого значения /ст. min ДО fcr max напряжение на стабисторе t/ст остается неизменным с определенной точностью. Эти приборы используются в цепях, где необходимо получить напряжение стабилизации 1-2 В при токах до 100 мА. Таблица 2.2 Электрические параметры некоторых типов стабилитронов и стабисторов общего иазиачеиия
Таблица 2.3 Параметры некоторых типов термокомпеисироваииых прецизионных стабилитронов
По назначению стабилитроны можно разделить на стабилитроны малой, средней и большой мощности. Стабилитроны малой мощности рассеивают мощность 0,1 - 0,3 Вт; онн выпускаются на дискретный ряд напряжений стабилизации от 3,3 до 100 В в корпусах различной конструкции и используются, в основном, как источники опорного напряжения в компенсационных стабилизаторах. Это наиболее обширный класс приборов, насчитывающий более сотни типов. Стабилитроны средней мощности (0,3-5) Вт выпускаются с напряжением стабилизации от 3,3 до 180 В и используются в параметрических стабилизаторах или в цепях ограничения выбросов напряжения. Стабилитроны большой мощности (Рст 8 Вт) выпускаются иа напряжение 5-20 В н предназначаются, в основном, для использования в параметрических стабилизаторах. Термокомпенсированные преци»ионные стабилитроны предназначаются для использования в качесте источников опорного напряжения в компенсационных стабилизаторах, в которых требуется получить точность стабилизации выходного напряжения не хуже 1% в широком диапазоне изменения температуры окружающей среды. Они также находят широкое применение в различных измерительных устройствах как источники эталонного напряжения. Основные параметры некоторых типов термокомпеисироваииых прецизионных стабилитронов приведены в табл. 2.3. Для термокомпенсированных стабилитронов важнейшим параметром (кроме ТКН) является величина дрейфа напряжения стабилизации of/cT- При этом различают быстрый дрейф в течение времени от нескольких секунд до 5-10 мин после включения и медленный дрейф в течение сотен и тысяч часов непрерывной работы. Результаты проведенных исследований [9,16] показывают, что кратковременный дрейф для термокомпенсированных стабилитронов составляет ±(0,001) -f. 0,0001) %, а длительный дрейф не превышает ± (0,1 - 0,001) o за 1-3 тола-. 2.3. Тиристоры Тиристор - это четырехслойиый р-п-р-п полупроводниковый прибор (рис.2.7, а, б), который используется в ИВЭ в качестве электронного ключа. Он включается при подаче иа управляющий элект- род УЭ короткого положительного импульса при условии, что на анод А подано положительное по отношению к катоду К напряжение. Статические ВАХ тиристора приведены иа рис. 2.7, в. В открытом состоянии прямой ток через тиристор ограничивается сопротивлением нагрузки. Закрывается тиристор изменением полярности анодного напряжения н уменьшением тока удержания до значения меньше /уд. т. В настоящее время существуют также полиостью управляемые тиристоры, которые запираются подачей отрицательного импульса иа УЭ, однако из-за значительной мощности управления такие тиристоры не находят широкого применения в ИВЭ. Из рассмотрения статических ВАХ на рис. 2,7 в видно, что тиристор можно привести в открытое состояние путем увеличения приложенного к нему прямого напряжения до критического значения вкл.т без воздействия на управляющий переход (/у = 0). Тиристор может также перейти в открытое состояние и при меньшем значении напряжения, чем Увл т скорость его нарастания достаточно высока. Однако такое включение тиристора нежелательно, поэтому тиристоры нормально работают при входном синусоидальном напряжении, скорость нарастания которого составляет несколько десятков вольт за микросекунду. Для тиристора различают параметры, относящиеся к цепи основного тока и цепн управления. Основная цепь тиристора, кроме параметров прямого тока, аналогичных параметрам сийовых полупроводниковых диодов, характеризуется напряжением включения вкл.т, током включения /вкл.т, а также током удержания /уд.т, минимальное значение которого определяется режимом цепи управ- "г а) 6 к 1пр. ip.r /ГО Рис. 2.7. Тиристор: а - полупроводниковая структура; б - условное графическое обозначение; в - вольт-ампериая характеристика: / - открытое состояние; 2 - участок отрицательного дифференциального сопротивления; 3 - закрытое состояние: 4 - непроводящее состояние в обратном направлении; 5 - область пробоя в обратном направлении 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 [13] 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 0.0674 |